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单选题
金属导体的电阻是由于导体内的()引起的。
A

自由电子运动

B

原子运动

C

正离子运动

D

自由电子和正离子碰撞


参考答案

参考解析
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考题 外力引起电阻率变化的元件是______。A.金属电阻应变片B.半导体电阻应变片C.压电元件D.霍尔元件

考题 金属导体的电阻与()成反比。 A、导体长度B、导体横截面C、导体两端电压D、导体的电阻率

考题 当()通过导体时,由于导体电阻的存在,会引起导体(),这种现象称为电流的热效应。

考题 由于存在PN结表面的()和半导体的(),使得每只二极管的工作特性都不相同。A、漏电阻;体电阻B、表电阻;导通电阻C、表电阻;体电阻D、漏电阻;导通电阻

考题 热导式气体分析仪的热敏元件主要有半导体敏感元件和金属电阻丝两类。

考题 金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。

考题 金属导体的电阻与导体的截面积无关。( )

考题 金属导体的电阻与()无关。A、导体的长度B、导体的截面积C、导体材料的电阻率D、外加电压

考题 与金属导体电阻无关的因素是()。A、导体长度;B、导体电阻率;C、导体截面积;D、外加电压。

考题 电荷在金属导体内定向移动时,与导体中的原子相碰撞,受到阻碍,把导体对电流的这种阻碍作用称为()。A、电压B、电阻C、电流D、电位

考题 金属导体的电阻是由于导体内的()引起的。A、自由电子运动B、原子运动C、正离子运动D、自由电子和正离子碰撞

考题 热电阻是利用电阻与温度呈现一定函数关系的()制成的感温元件.A、金属导体B、半导体C、金属导体或半导体D、绝缘体

考题 金属应变片与半导体应变片在工作原理上都是利用金属形变引起电阻的变化。

考题 金属电阻应变片与半导体应变片的主要区别在于:前者利用()引起的电阻变化,后者利用()变化引起的电阻变化。

考题 金属导体或半导体在外力作用下产生机械变形而引起导体或半导体的电阻值发生变化的物理现象称为()。

考题 金属导体和半导体有个显著差别在于金属的电阻率随()而(),而半导体的电阻率随()而()(少数除外)。

考题 金属导体的电阻与()有关。A、导体长度B、导体截面积C、外加电压D、导体电阻率

考题 金属导体的电阻与()有关。A、导体长度B、导体截面C、外加电压D、电阻率

考题 金属应变片工作原理是利用()效应;半导体应变片工作原理是利用()效应。二者灵敏系数主要区别是:金属应变片的电阻变化主要由()引起的,半导体应变片的电阻变化主要由()引起的。

考题 金属电阻受应力后,其电阻值的变化主要是由()的变化引起的;半导体电阻受应力后,电阻的变化主要是由()发生变化引起的。

考题 与金属导体的电阻有关的因素有()。A、导体长度B、导体电阻率C、导体截面积D、外加电压

考题 金属导体的电阻与导体电阻率有关。

考题 金属导体的电阻与()无关。A、金属导体的几何尺寸;B、金属导体的种类;C、外加电压;D、周围的温度。

考题 单选题电荷在金属导体内定向移动时,与导体中的原子相碰撞,受到阻碍,把导体对电流的这种阻碍作用称为()A 电压B 电阻C 电流D 电位

考题 单选题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是()A 金属应变片主要利用压阻效应B 金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C 半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D 半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高,但非线性误差大。

考题 单选题热电阻是利用电阻与温度呈现一定函数关系的()制成的感温元件.A 金属导体B 半导体C 金属导体或半导体D 绝缘体

考题 填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。