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填空题
在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。

参考答案

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考题 N型半导体中的多子是( )。 A.电子B空穴C正离子D负离子
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考题 N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
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考题 P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在P型半导体中（）为少子.A、自由电子B、正离子C、空穴
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考题 在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。
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考题 P（N）型半导体的多子、少子
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考题 在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子
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考题 本征半导体掺入微量的（）元素，则形成P型半导体，其多子为（），少子为（）。
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考题 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）A、P型半导体，其少子为自由电子B、N型半导体，其多子为自由电子C、P型半导体，其少子为空穴D、N型半导体，其多子为空穴
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考题 对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
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考题 在P型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子。
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考题 在N型半导体中，多子是（），少子是（）；在P型半导体中，多子是（），少子是（）
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考题 N型半导体中的多子是（）。A、电子B、空穴C、正离子D、负离子
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考题 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。A、少子B、多子C、杂质离子D、空穴
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考题 P型半导体中的多子是（）。A、电子B、空穴C、正离子D、负离子
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考题 在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子
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考题 在本征半导体中，（）是同时出现的.A、多子和少子B、正离子和负离子C、自由电子和空穴
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考题 在N型半导体中（）为多子.A、自由电子B、空穴C、正离子
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考题 名词解释题P（N）型半导体的多子、少子
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考题 单选题在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。A 正离子数B 负离子数C 质子D 原子
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考题 填空题N型半导体中电子是多子，空穴是（）。
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考题 单选题半导体受光照、外电场作用，载流子浓度就要发生变化，这时半导体处于非平衡态。光照时（）的浓度几乎不变，（）的浓度却大大增加，因而可以说，一切半导体光电器件对光的响应都是（）的行为。请选择正确的答案（）A 多子---少子---少子；B 少子---多子---多子；C 多子---多子---多子D 少子---少子---少子。
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考题 单选题对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶
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考题 单选题在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A 正离子数B 负离子数C 质子D 原子
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考题 单选题对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶
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考题 问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
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