考题
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。
A、0.2 VB、0.7 VC、1 V
考题
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
考题
二极管2CZ54D的正向压降约为()。A、0.2VB、0.7VC、0.9VD、1.2V
考题
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A、1VB、0.2VC、0.6V
考题
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
正常工作时，发光二极管与光电二极管应外加（）A、均应加正向电压B、均应加反向电压C、前者加正向电压，后者加反向电压D、前者加反向电压，后者加正向电压
考题
发光二极管LED工作时，其正向导通电压约为（）A、0.2~0.3VB、0.6~0.7VC、0.7~1.2VD、1.4~2.8V
考题
管压降是指二级管导通时的（）A、压降B、反向压降C、正向压降D、电压降
考题
发光二极管工作时，应加（）。A、正向电压B、反向电压C、正向电压或反向电压D、无法确定
考题
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
考题
硅整流器在正常工作时，每个整流元件的正向电压降不大于（）。
考题
硅二极管的正向导通压降约为（）A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
考题
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
考题
LED数码管的使用与发光二极管相同，根据其材料不同正向压降一般为（）V，额定电流为（）mA，最大电流为（）mA。
考题
红色发光二极管导通时的正向压降约为（）。A、0.7VB、1.4VC、2.1VD、根据电流变化，无法确定
考题
单选题型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A
1VB
0.2VC
0.6V
考题
单选题发光二极管正常工作时的正向压降大约为（）A
0.2～0.3VB
0.6～0.7VC
1.5～3VD
0.1～1V
考题
单选题功率二极管的正向压降Ud约为（）。A
0.7VB
3VC
4VD
5V
考题
单选题发光二极管和光电二极管正常工作时，应外加（）A
均加正向电压B
均加反向电压C
前者加反向电压，后者加正向电压D
前者加正向电压，后者加反向电压
考题
单选题发光二极管LED工作时，其正向导通电压约为（）A
0.2~0.3VB
0.6~0.7VC
0.7~1.2VD
1.4~2.8V
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
