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题目内容
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单选题
关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）。
A
被照体很薄时，AEC也可立即切断X线
B
半导体、荧光体3种
C
AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关
D
探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样
E
形状、数量应根据摄影部位选择
参考答案
参考解析
解析：
自动曝光控时分为光电管自动曝光控时和电离室自动曝光控时两种方式。
更多 “单选题关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）。A 被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B 半导体、荧光体3种C AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D 探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E 形状、数量应根据摄影部位选择” 相关考题
考题
关于自动曝光控制(AEC)的解释，错误的是A、根据被照体厚薄预先确定曝光量B、有电离室式探测器C、AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关D、有半导体式探测器E、探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
考题
关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是A、被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B、半导体、荧光体3种C、AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D、探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E、形状、数量应根据摄影部位选择
考题
关于电离室控时自动曝光控制,下列叙述错误的是
A.利用气体的电离效应B.X线强度大时，电离电流大C.X线强度大时，曝光时间长D.电容充电电流与X线曝光量呈反比E.电离电流小时，曝光时间长
考题
关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是A．被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B．探测器有电离室式、半导体、荧光体三种C．AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D．探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E．探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
考题
关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）A、被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B、探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C、AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关D、探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样E、探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
考题
关于胶片特性曲线的叙述，错误的是（）。A、表示密度值与曝光量之间的关系B、横轴表示曝光量，纵轴表示密度值C、能够表达出感光材料的感光特性D、横轴表示密度值，纵轴表示曝光量E、可称为H-D曲线
考题
关于-DSA自动曝光的叙述，错误的是（）A、有光电管自动曝光控制B、有电离室自动曝光控制C、光电管自动曝光控制的基础是荧光效应D、电离室自动曝光控制的基础是电离效应E、-DSA检查一般选择手动曝光条件
考题
关于光电管自动曝光控时原理的叙述，哪组是错误的（）A、光电管接受X线辐射产生光电流B、光电流与电容器充速率成正比C、冷阴极充气管电离时间短曝光时间则短D、控制曝光时间是通过二极管完成E、X线辐射强度小，则自动延长曝光时间
考题
单选题关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）A
被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B
探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C
AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关D
探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样E
探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
考题
单选题关于膝关节前后正位成像技术标准的叙述，错误的是（）A
滤线栅：（-）B
屏-片体系感度：标称感度200C
摄影距离：100～120cmD
自动曝光控制：（+）E
曝光时间：200ms
考题
单选题关于-DSA自动曝光的叙述，错误的是（）A
有光电管自动曝光控制B
有电离室自动曝光控制C
光电管自动曝光控制的基础是荧光效应D
电离室自动曝光控制的基础是电离效应E
-DSA检查一般选择手动曝光条件
考题
单选题关于自动曝光控制（AEC）的解释，错误的是（）。A
根据被照体厚薄预先确定曝光量B
有电离室式探测器C
AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关D
有半导体式探测器E
探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
考题
单选题关于胶片特性曲线的叙述，错误的是（）。A
表示密度值与曝光量之间的关系B
横轴表示曝光量，纵轴表示密度值C
能够表达出感光材料的感光特性D
横轴表示密度值，纵轴表示曝光量E
可称为H-D曲线
考题
单选题预曝光方式AEC的工作环节，错误的是（）A
根据压迫厚度设定条件B
进行一次15毫秒的预曝光C
探测乳腺的组织密度D
据此设定所需的mAs值E
正式曝光并自动终止
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