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关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是
A．被照体很薄时，AEC也可立即切断X线
B．探测器有电离室式、半导体、荧光体三种
C．AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关
D．探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样
E．探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
参考答案
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考题
关于自动曝光控制(AEC)的解释，错误的是A、根据被照体厚薄预先确定曝光量B、有电离室式探测器C、AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关D、有半导体式探测器E、探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
考题
关于变形控制的叙述错误的是A、受摄影过程中几何条件的控制B、被照体平行于胶片时变形最小C、被照体接近中心线并尽量远离探测器时可减少位置变形D、一般中心线应通过被检部位并垂直于胶片E、变形取决于焦点、被照体和探测器三者间的位置关系
考题
关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是A、被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B、半导体、荧光体3种C、AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D、探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E、形状、数量应根据摄影部位选择
考题
关于电离室控时自动曝光控制,下列叙述错误的是
A.利用气体的电离效应B.X线强度大时，电离电流大C.X线强度大时，曝光时间长D.电容充电电流与X线曝光量呈反比E.电离电流小时，曝光时间长
考题
有关中心线、照射野的叙述，错误的是A、X线束入射于被照体的曝光面的大小称照射野B、摄影时照射野应缩小到能容下被检部位的标度C、照射野的大小大多用遮线器控制D、来自中心部分的X线为中心线E、中心线必须垂直于被照体中心
考题
关于X线影像信息的传递及影像形成的叙述，错误的是A．被照体的信息分布于三维空间B．被照体信息须经转换介质转换C．X线诊断的信息来源于被照体D．X线为传递被照体信息的载体E．X线影像表现形式均为三维图像
考题
关于X线对比度的叙述，正确的是A.透过被照体两部分的X线强度的和B.透过被照体两部分的X线强度平方的差C.透过被照体两部分的X线强度的比D.透过被照体两部分的X线强度的积E.透过被照体两部分的X线强度的倍数
考题
关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）A、被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B、探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C、AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关D、探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样E、探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
考题
有关中心线、照射野的叙述，错误的是（）A、X线束入射于被照体的曝光面的大小称照射野B、摄影时照射野应缩小到能容下被检部位的标度C、照射野的大小大多用遮线器控制D、中心线必须垂直于被照体中心
考题
关于-DSA自动曝光的叙述，错误的是（）A、有光电管自动曝光控制B、有电离室自动曝光控制C、光电管自动曝光控制的基础是荧光效应D、电离室自动曝光控制的基础是电离效应E、-DSA检查一般选择手动曝光条件
考题
单选题关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）。A
被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B
半导体、荧光体3种C
AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D
探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E
形状、数量应根据摄影部位选择
考题
单选题关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）A
被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B
探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C
AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关D
探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样E
探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
考题
单选题关于-DSA自动曝光的叙述，错误的是（）A
有光电管自动曝光控制B
有电离室自动曝光控制C
光电管自动曝光控制的基础是荧光效应D
电离室自动曝光控制的基础是电离效应E
-DSA检查一般选择手动曝光条件
考题
单选题关于自动曝光控制（AEC）的解释，错误的是（）。A
根据被照体厚薄预先确定曝光量B
有电离室式探测器C
AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关D
有半导体式探测器E
探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
考题
单选题关于电离室控时自动曝光控制叙述错误的是（）A
利用气体的电离效应B
X线强度大时，电离电流大C
X线强度大时，曝光时间长D
电容充电电流与X线曝光量成反比E
电离电流小时，曝光时间长
考题
填空题程序控制式自动曝光是：X线曝光时，（）透过被照体到达暗盒上的X线强度，当X线强度达到一定值后，自动终止曝光，所以又称为（）自动控制曝光。
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