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单选题
关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）
A
被照体很薄时，AEC也可立即切断X线
B
探测器有电离室式、半导体、荧光体3种
C
AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关
D
探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样
E
探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
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更多 “单选题关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）A 被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B 探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关D 探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样E 探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择” 相关考题
考题
关于自动曝光控制(AEC)的解释，错误的是A、根据被照体厚薄预先确定曝光量B、有电离室式探测器C、AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关D、有半导体式探测器E、探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
考题
关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是A、被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B、半导体、荧光体3种C、AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D、探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E、形状、数量应根据摄影部位选择
考题
关于电离室控时自动曝光控制,下列叙述错误的是
A.利用气体的电离效应B.X线强度大时，电离电流大C.X线强度大时，曝光时间长D.电容充电电流与X线曝光量呈反比E.电离电流小时，曝光时间长
考题
关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是A．被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B．探测器有电离室式、半导体、荧光体三种C．AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D．探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E．探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
考题
关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）A、被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B、探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C、AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关D、探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样E、探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
考题
关于胶片特性曲线的叙述，错误的是（）。A、表示密度值与曝光量之间的关系B、横轴表示曝光量，纵轴表示密度值C、能够表达出感光材料的感光特性D、横轴表示密度值，纵轴表示曝光量E、可称为H-D曲线
考题
关于-DSA自动曝光的叙述，错误的是（）A、有光电管自动曝光控制B、有电离室自动曝光控制C、光电管自动曝光控制的基础是荧光效应D、电离室自动曝光控制的基础是电离效应E、-DSA检查一般选择手动曝光条件
考题
关于光电管自动曝光控时原理的叙述，哪组是错误的（）A、光电管接受X线辐射产生光电流B、光电流与电容器充速率成正比C、冷阴极充气管电离时间短曝光时间则短D、控制曝光时间是通过二极管完成E、X线辐射强度小，则自动延长曝光时间
考题
单选题关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）。A
被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B
半导体、荧光体3种C
AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D
探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E
形状、数量应根据摄影部位选择
考题
单选题关于膝关节前后正位成像技术标准的叙述，错误的是（）A
滤线栅：（-）B
屏-片体系感度：标称感度200C
摄影距离：100～120cmD
自动曝光控制：（+）E
曝光时间：200ms
考题
单选题关于-DSA自动曝光的叙述，错误的是（）A
有光电管自动曝光控制B
有电离室自动曝光控制C
光电管自动曝光控制的基础是荧光效应D
电离室自动曝光控制的基础是电离效应E
-DSA检查一般选择手动曝光条件
考题
单选题关于自动曝光控制（AEC）的解释，错误的是（）。A
根据被照体厚薄预先确定曝光量B
有电离室式探测器C
AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关D
有半导体式探测器E
探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
考题
单选题关于胶片特性曲线的叙述，错误的是（）。A
表示密度值与曝光量之间的关系B
横轴表示曝光量，纵轴表示密度值C
能够表达出感光材料的感光特性D
横轴表示密度值，纵轴表示曝光量E
可称为H-D曲线
考题
单选题预曝光方式AEC的工作环节，错误的是（）A
根据压迫厚度设定条件B
进行一次15毫秒的预曝光C
探测乳腺的组织密度D
据此设定所需的mAs值E
正式曝光并自动终止
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