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名词解释题
局部屏蔽效应

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考题 局部屏蔽效应(名词解释)
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考题 使质子化学位移出现在高场的原因是( )。A形成氢键B去屏蔽效应C屏蔽效应D连接了电负性大的基团
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考题 轰动效应和屏蔽效应是输入媒体的信息加工吗?()
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考题 导体采用多导体结构时，尚应考虑()对载流量的影响。 A.排列形式； B.邻近效应和热屏蔽； C.集肤效应；D.热屏蔽。
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考题 什么是接地屏蔽效应？
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考题 乙烯比乙炔质子的相对化学位移要大，主要原因是（）。A、由于磁的各向异性效应，使得乙烯、乙炔质子都处在屏蔽区B、由于磁的各向异性效应，使得乙烯、乙炔质子都处在去屏蔽区C、由于磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙快质子处在去屏蔽区
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考题 屏蔽是减少（）的基本措施。为减少感应效应宜采取以下措施：外部屏蔽措施、线路敷设于合适的路径，线路屏蔽。这些措施宜联合使用。
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考题 为减少电磁干扰的感应效应，宜采取以下的基本屏蔽措施：（）和（）的外部设屏蔽措施，以（）的路径敷设线路，线路屏蔽。这些措施宜联合使用。
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考题 多个接地体之间的电流具有屏蔽效应。
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考题 为减少电磁干扰的感应效应，应采取的基本措施是（）。A、建筑物或房间的外部屏蔽措施B、设备屏蔽C、静电屏蔽D、以合适的路径敷设线路，线路屏蔽
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考题 减少电磁干扰的感应效应，应采取的基本措施是（）。A、建筑物或房间的外部屏蔽措施B、设备屏蔽C、静电屏蔽D、以合适的路径敷设线路，线路屏蔽
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考题 在核磁共振波谱分析中，当质子核外的电子云密度增加时（）A、屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在高场出现B、屏蔽效应减弱，化学位移值大，峰在高场出现C、屏蔽效应增强，化学位移值小，峰在高场出现D、屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在低场出现
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考题 NOE效应是指：（）A、屏蔽效应B、各向异性效应C、核的Overhauser效应D、电场效应
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考题 高层建筑物上信号理想，但切换频繁，通话困难，称为（）。A、切换效应B、孤岛效应C、屏蔽效应D、乒乓效应
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考题 去屏蔽效应
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考题 什么是屏蔽效应和钻穿效应？他们对原子轨道能量有何影响？
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考题 为减少电磁干扰的感应效应，应采取的基本屏蔽措施是（）A、建筑物或房间的外部设屏蔽措施B、设备屏蔽C、静电屏蔽D、以合适的路径敷设线路，线路屏蔽
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考题 屏蔽效应
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考题 什么是邻近效应？什么是电磁屏蔽？
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考题 单选题在核磁共振波谱分析中，当质子核外的电子云密度增加时（）A 屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在高场出现B 屏蔽效应减弱，化学位移值大，峰在高场出现C 屏蔽效应增强，化学位移值小，峰在高场出现D 屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在低场出现
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考题 问答题什么叫屏蔽效应、钻穿效应？
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考题 多选题减少电磁干扰的感应效应，应采取的基本措施是（）。A建筑物或房间的外部屏蔽措施B设备屏蔽C静电屏蔽D以合适的路径敷设线路，线路屏蔽
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考题 名词解释题屏蔽效应
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考题 名词解释题去屏蔽效应
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考题 单选题乙烯质子的化学位移值（δ）比乙炔质子的化学位移值大还是小？其原因是（）A 大，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙炔质子处在去屏蔽区B 大，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在去屏蔽区，乙炔质子处在屏蔽区C 小，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在去屏蔽区，乙炔质子处在屏蔽区D 小，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙炔质子处在去屏蔽区
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考题 多选题为减少电磁干扰的感应效应，应采取的基本屏蔽措施是（）A建筑物或房间的外部设屏蔽措施B设备屏蔽C静电屏蔽D以合适的路径敷设线路，线路屏蔽
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考题 单选题NOE效应是指：（）A 屏蔽效应B 各向异性效应C 核的Overhauser效应D 电场效应
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