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名词解释题
去屏蔽效应

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考题 局部屏蔽效应(名词解释)

考题 使质子化学位移出现在高场的原因是( )。A形成氢键B去屏蔽效应C屏蔽效应D连接了电负性大的基团

考题 轰动效应和屏蔽效应是输入媒体的信息加工吗?()

考题 导体采用多导体结构时,尚应考虑()对载流量的影响。 A.排列形式; B.邻近效应和热屏蔽; C.集肤效应;D.热屏蔽。

考题 什么是接地屏蔽效应?

考题 乙烯比乙炔质子的相对化学位移要大,主要原因是()。A、由于磁的各向异性效应,使得乙烯、乙炔质子都处在屏蔽区B、由于磁的各向异性效应,使得乙烯、乙炔质子都处在去屏蔽区C、由于磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙快质子处在去屏蔽区

考题 多个接地体之间的电流具有屏蔽效应。

考题 在核磁共振波谱分析中,当质子核外的电子云密度增加时()A、屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在高场出现B、屏蔽效应减弱,化学位移值大,峰在高场出现C、屏蔽效应增强,化学位移值小,峰在高场出现D、屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在低场出现

考题 NOE效应是指:()A、屏蔽效应B、各向异性效应C、核的Overhauser效应D、电场效应

考题 微波中继通信系统之间的区域协调包括()去耦、()去耦和屏蔽去耦。

考题 高层建筑物上信号理想,但切换频繁,通话困难,称为()。A、切换效应B、孤岛效应C、屏蔽效应D、乒乓效应

考题 去屏蔽效应

考题 什么是屏蔽效应和钻穿效应?他们对原子轨道能量有何影响?

考题 为减少电磁干扰的感应效应,应采取的基本屏蔽措施是()A、建筑物或房间的外部设屏蔽措施B、设备屏蔽C、静电屏蔽D、以合适的路径敷设线路,线路屏蔽

考题 屏蔽效应

考题 对于具有π电子云的乙炔分子,电子环流将产生()(去屏蔽/屏蔽),对于乙烯分子,电子环流将产生()(去屏蔽/屏蔽),乙烯与乙炔,质子信号出现在低场的是()。

考题 什么是邻近效应?什么是电磁屏蔽?

考题 填空题对于具有π电子云的乙炔分子,电子环流将产生()(去屏蔽/屏蔽),对于乙烯分子,电子环流将产生()(去屏蔽/屏蔽),乙烯与乙炔,质子信号出现在低场的是()。

考题 单选题在核磁共振波谱分析中,当质子核外的电子云密度增加时()A 屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在高场出现B 屏蔽效应减弱,化学位移值大,峰在高场出现C 屏蔽效应增强,化学位移值小,峰在高场出现D 屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在低场出现

考题 问答题什么叫屏蔽效应、钻穿效应?

考题 名词解释题局部屏蔽效应

考题 单选题乙烯质子的化学位移值(δ)比乙炔质子的化学位移值大还是小?其原因是()A 大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区B 大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区C 小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区D 小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区

考题 单选题在外加磁场中,苯环上的质子都位于()。A 屏蔽区B 去屏蔽区C 屏蔽区和去屏蔽区

考题 单选题在外加磁场中,H2C=CH2乙烯分子中四个质子位于()。A 屏蔽区B 去屏蔽区C 屏蔽区和去屏蔽区

考题 单选题在外加磁场中HC=CH乙炔分子的两个质子位于()。A 屏蔽区B 去屏蔽区C 屏蔽区和去屏蔽区

考题 单选题NOE效应是指:()A 屏蔽效应B 各向异性效应C 核的Overhauser效应D 电场效应

考题 填空题微波中继通信系统之间的区域协调包括()去耦、()去耦和屏蔽去耦。