考题
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压
考题
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
考题
在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。
A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
考题
晶体管具备电流放大的内部条件是()。
A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合
考题
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。()
此题为判断题(对，错)。
考题
当P—N结承受反向电压时，其内部电流关系为（）A.扩散电流大于漂移电流
B.扩散电流等于漂移电流
C.扩散电流小于漂移电流
D.无法确定
考题
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
考题
半导体二极管加正向电压时，有（）特性。A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大
考题
第二类回火脆性产生的原因是（）的缘故。A、晶粒边界杂质浓度增高B、晶粒边界杂质浓度降低C、晶粒内部杂质浓度增高D、晶粒内部杂质浓度降低
考题
半导体二极管加正向电压时，（）A、电流大，电阻小B、电流大，电阻大C、电流小，电阻小D、电流小，电阻大
考题
晶体管具备电流放大的内部条件是（）。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合
考题
当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时，（）可以提高晶体管最大工作电流。A、增大基区掺杂浓度B、减小基区宽度C、减小发射结面积D、增大集电区杂质浓度
考题
结晶溶液中，杂质对结晶的影响有（）。A、杂质浓度低，对结晶无明显影响B、杂质浓度高，影响结晶纯度C、杂质浓度高，改变晶习D、杂质浓度高，影响结晶的理化性质和生物活性
考题
极谱法中的极限电流由（）A、残余电流和迁移电流组成B、扩散电流和迁移电流组成C、扩散电流和残余电流组成D、电容电流和迁移电流组成
考题
在极谱分析中极限电流是（）A、迁移电流与扩散电流之和B、残余电流与扩散电流之和C、残余、迁移及扩散电流之和D、残余与迁移电流之和
考题
半导体应变片的灵敏度随（）的不同而不同A、半导体材料；B、杂质浓度；C、载荷的大小；D、半导体尺寸
考题
半导体二极管加正向电压时，有（）A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大
考题
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
考题
真空电弧有小电流下的扩散型和大电流下的集聚型
考题
小电流真空电弧是（）型电弧A、收缩（或聚集）B、不定C、扩散
考题
半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
考题
单选题结晶溶液中，杂质对结晶的影响有（）。A
杂质浓度低，对结晶无明显影响B
杂质浓度高，影响结晶纯度C
杂质浓度高，改变晶习D
杂质浓度高，影响结晶的理化性质和生物活性
考题
问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
考题
单选题极谱法中的极限电流由（）A
残余电流和迁移电流组成B
扩散电流和迁移电流组成C
扩散电流和残余电流组成D
电容电流和迁移电流组成
考题
单选题通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要是（）。A
本征扩散B
非本征扩散C
互扩散D
A+B
考题
单选题半导体二极管加正向电压时，（）A
电流大，电阻小B
电流大，电阻大C
电流小，电阻小D
电流小，电阻大
考题
单选题在极谱分析中极限电流是（）A
迁移电流与扩散电流之和B
残余电流与扩散电流之和C
残余、迁移及扩散电流之和D
残余与迁移电流之和