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当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时，（）可以提高晶体管最大工作电流。

  • A、增大基区掺杂浓度
  • B、减小基区宽度
  • C、减小发射结面积
  • D、增大集电区杂质浓度

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考题 当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态
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考题 二极管加反向电压时,反向电流很小,所以晶体管的集电结加反向电压时,集电极电流必然很小。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 电晕电流的变化主要是（）控制，同时受到自身空间电荷的限制。A电场力B电极C电压D控制系统
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考题 电晕电流的变化主要是由电极控制，同时受到自身空间电荷的限制。（）A对B错
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考题 当晶体管的发射结正偏，集电结正偏时，晶体管处于饱和状态。
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考题 最大励磁电流限制器作用？采用何种特性？它有哪些限制值？
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考题 手工电弧焊时，由于使用电流受到限制，故其静特性曲线无上升特性区。
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考题 当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（）A、截止区B、放大区C、饱和区
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考题 限制晶体管集电极工作电流的主要原因是它的电流放大系数在（）。A、大电流时上升B、大电流时下降C、小电流时上升D、小电流时下降
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考题 直流调速系统中，当电机全压起动或堵转时，电枢电流会变得很大，为了限制电枢电流，可增加（）环节，这时直流调速系统的机械特性分为两段直线，常称为下垂特性或挖土机特性。
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考题 晶体管特性图示仪的功耗限制电阻相当于晶体管放大电路的（）电阻。A、基极B、集电极C、限流D、降压
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考题 二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
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考题 限流电抗器主要装在出线端或母线间，其主要目的是：当线路或母线发生故障时，（）。A、限制负载电流；B、限制无功电流；C、限制短路电流；D、限制有功电流。
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考题 造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应C、基区电导调制效应，基区有偏压效应D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应
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考题 晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结（），集电结（）。
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考题 当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时，晶体管一定工作在饱和区。（）
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考题 在晶体管驱动电路中，开关晶体管的驱动电流IC必须足够大，否则晶体管会增加其管压降来限制其负载电流，从而有可能使晶体管超过允许功耗而损坏。
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考题 工作在放大状态的晶体管，流过集电结的主要是（）A、扩散电流B、漂移电流
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考题 晶体管有电流放大作用的外部条件是发射结（），集电结（）。
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考题 JT-1型晶体管图示仪“集电极扫描信号”中，功耗限制电阻的作用是（）A、限制集电极功耗B、保护晶体管C、把集电极电压变化转换为电流变化D、限制集电极功耗，保护被测晶体管
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考题 三极管当（）开路时，在集电结加反向电压时，这时流经集电结的反向电流称为集电极反向饱和电流，用符号（）表示。
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考题 填空题当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（）。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（），这称为（）效应。
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考题 填空题直流调速系统中，当电机全压起动或堵转时，电枢电流会变得很大，为了限制电枢电流，可增加（）环节，这时直流调速系统的机械特性分为两段直线，常称为下垂特性或挖土机特性。
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考题 填空题晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指发射结（）偏、集电结（）偏时的（）电流与（）电流之比。
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