考题
描述均数抽样误差大小的指标是A、SB、S/n√C、CVD、MSE、σ
考题
变异系数的缩写是（ ）A、GMPB、TGAC、CVD、RSDE、SD
考题
采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
考题
质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别？
考题
a-Si：H以及合金材料，用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。
考题
关于CVD涂层，（）描述是不正确的。A、CVD对高速钢有极强的粘附性B、CVD是在700～1050℃高温的环境下通过化学反应获得的C、CVD涂层具有高耐磨性D、CVD表示化学气相沉积
考题
MGW中不能被删除的CV类型有（）A、EXECUTINGB、LOADEDC、ROLLBACKLIST CVD、STARTABLE
考题
问答题简述低压CVD系统（LPCVD）的优缺点。
考题
问答题解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？
考题
问答题简述常压CVD系统（APCVD）的优缺点。
考题
判断题LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。A
对B
错
考题
判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。A
对B
错
考题
判断题在LPCVD中，由于hGkS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是质量转移控制A
对B
错
考题
判断题在LPCVD中，由于hGkS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制A
对B
错
考题
问答题APCVD、LPCVD、PECVD和HDPCVD中文名称分别是？
考题
判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A
对B
错
考题
判断题CVD系统包括热壁式CVD系统和冷壁式CVD系统，在冷壁式CVD系统中侧壁温度与沉底温度相等。A
对B
错
考题
填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
考题
判断题CVD为化学气相沉积技术的简称。A
对B
错
考题
判断题LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。A
对B
错
考题
判断题与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。A
对B
错