考题
RADIUS的英文和中文名称分别是______和______。
考题
下列符号的中文名称分别是： PRPP（）；IMP（）；XMP（）；
考题
除（）、（）外，其余α-氨基酸都可参加转氨基作用。GOT和GPT的中文名称分别是（）、（）。
考题
问答题解释APCVD，使用APCVD SiO2的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗？
考题
问答题解释HDPCVD，它在IC中有什么优势？
考题
问答题简述低压CVD系统（LPCVD）的优缺点。
考题
问答题解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么？
考题
问答题解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？
考题
问答题简述常压CVD系统（APCVD）的优缺点。
考题
判断题LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。A
对B
错
考题
判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。A
对B
错
考题
填空题下列符号的中文名称分别是： PRPP（）；IMP（）；XMP（）；
考题
判断题在LPCVD中，由于hGkS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是质量转移控制A
对B
错
考题
判断题在LPCVD中，由于hGkS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制A
对B
错
考题
判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A
对B
错
考题
填空题除（）、（）外，其余α-氨基酸都可参加转氨基作用。GOT和GPT的中文名称分别是（）、（）。
考题
填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
考题
问答题PECVD的机理？PECVD有何优势？
考题
填空题HFC的英文和中文名称分别是（）和（）。
考题
判断题与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。A
对B
错
考题
问答题描述硅片偏置对HDPCVD方向性的影响。