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a-Si：H以及合金材料，用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。
参考答案
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考题
利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。A、物理气相沉积（PVD）B、物理气相沉积（CVD）C、化学气相沉积（VCD）D、化学气相沉积（CVD）
考题
单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。A
1、2B
2、4C
1、4D
1、2、4E
1、2、3、4
考题
单选题利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。A
物理气相沉积（PVD）B
物理气相沉积（CVD）C
化学气相沉积（VCD）D
化学气相沉积（CVD）
考题
名词解释题化学气相沉积（CVD）
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