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判断题
电子束光刻主要用于制作掩膜。
A
对
B
错
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考题
单晶硅电池的制造工艺主要流程为()A、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜B、表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极C、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极D、表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
考题
单选题凹木可用坚实的横垫木与掩木配合制作,必要时,掩木的斜面应尽可能按被掩圆柱体半径制作成弧面,并用螺栓与横垫木牢固连接,每块掩木使用的螺栓数不得少于()。A
2个B
3个C
4个D
5个
考题
问答题什么是光敏度,移相掩膜,驻波效应?
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