考题
能够用紫外光擦除ROM中的程序的只读存储器称为()。A.掩膜ROMB.PROMC.EPROMD.EEPROM
考题
将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为（）曝光。A、接触B、接近式C、投影
考题
金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。（）
考题
器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。A、掩膜版B、扩散C、光刻
考题
在进行空间分析时，经常设置Mask（掩膜），设置掩膜的作用是什么？
考题
完整印版应具备（）A、网布、版膜B、版框、网布C、版框、版膜D、版框、网布、版膜
考题
版膜未干即晒版会（）A、败版B、版膜较厚C、印纹较细D、版膜冲不掉
考题
能用紫外线光擦除ROM中的程序的只读存储器为（）A、掩膜ROMB、PROMC、EPROMD、EEPROM
考题
按照数据写入方式特点的不同，ROM可分为掩膜ROM，（），（）。
考题
能够用紫外光擦除ROM中程序的只读存储器称为（）。A、掩膜ROMB、PROMC、EPROMD、EEPROM
考题
填空题光化学腐蚀制备掩膜采用（）受到光照射而凝固，不受光的部分仍然为液态，这实质上是将化学加工常规制备掩膜时的（）和（）两道工序合二为一。
考题
判断题投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。A
对B
错
考题
单选题掩膜型ROM可简记为（）。A
PROMB
MROMC
EPROMD
EEPROM
考题
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A
对B
错
考题
判断题集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。A
对B
错
考题
判断题光掩膜法成形原理上与光化学加工制备掩膜时原理类似，只是后者制备的掩膜较薄，而非立体零件。A
对B
错
考题
单选题某个PCB中，安全间距过小，加工中哪一工艺步骤最可能失败（）。A
阻焊掩膜B
光绘C
蚀刻D
钻孔
考题
问答题使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么？
考题
判断题制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。A
对B
错
考题
判断题光掩膜法中一次固化是一个截面，而光固化成形是逐点成面，因而光掩膜法成形效率比光固化成形高得多。A
对B
错
考题
判断题光掩膜法中光敏树脂的浪费比光固化成形更低。A
对B
错
考题
问答题掩膜版的对准法则，说明对准误差有哪些？