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判断题
可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。
A

B


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考题 并联电路中的总电压等于各元件上的电压值之和。()此题为判断题(对,错)。

考题 35kV多元件支柱绝缘子的交流耐压试验值,应符合下列规定()A、两个胶合元件者,每元件50kV;B、三个胶合元件者,每元件34kV;C、两个胶合元件者,每元件60KV;D、三个胶合元件者,每元件50kV。E、悬式绝缘子的交流耐压试验电压均取60kV。

考题 晶闸管正向阻断峰值电压的数值,规定比正向转折电压小()。

考题 可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。

考题 可控硅的主要特性参数有:正向阻断峰值电压PFV,反向阻断峰值电压PRV,额定正向平均电流IF,维持电流IH,控制级触发电压Vg,电压上升率dV/dt,电流上升率di/dt,额定结温Tc等。

考题 三相可控硅整流电路中,每个可控硅承受的最大反向电压是二次()。A、相电压值B、相电压峰值C、线电压值D、线电压峰值

考题 当单相半波可控硅整流装置交流电源电压为220伏时,则应该选用()。A、220伏的可控硅元件B、300伏的可控硅元件C、500伏的可控硅元件D、250伏的可控硅元件

考题 可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小()V。

考题 晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门即断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。

考题 晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门极断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压,其值低于转折电压。

考题 当门极断开(Ig=0),元件处在额定结温时,正向重复峰值电压为正向不重复峰值电压()%。A、70B、80C、90D、100

考题 可控硅主要参数有:正向阻断峰值电压、()、()、控制极触发电压、维持电流等。

考题 测定硅整流元件的正向压降平均值时,硅整流元件应在额定冷却条件下通过()。A、反向漏电流;B、正向电流平均值;C、正向电流峰值;D、有效值。

考题 晶闸管的主要参数有()。A、正向阻断峰值电压B、反向阻断峰值电压C、额定正向平均电流D、控制极触发电压

考题 一般地,晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。

考题 晶闸管的正向阻断峰值电压,即在控制极断开和正向阻断条件下的电压,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。

考题 晶闸管的正向阻断峰值电压,即在控制极断开和正向阻断条件一的电压,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。

考题 通常所说多少伏的可控硅,是指它的()是多少伏。A、正向阻断峰值电压B、正向转折电压C、整流电压D、整流电流

考题 判断题驱动元件由电压元件和电流元件组成。A 对B 错

考题 单选题当门极断开(Ig=0),元件处在额定结温时,正向重复峰值电压为正向不重复峰值电压()%。A 70B 80C 90D 100

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考题 填空题晶闸管正向阻断峰值电压的数值,规定比正向转折电压小()。