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可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。


参考答案

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考题 35kV多元件支柱绝缘子的交流耐压试验值,应符合下列规定()A、两个胶合元件者,每元件50kV;B、三个胶合元件者,每元件34kV;C、两个胶合元件者,每元件60KV;D、三个胶合元件者,每元件50kV。E、悬式绝缘子的交流耐压试验电压均取60kV。

考题 晶闸管断态重复峰值电压(又称正向阻断峰值电压)的数值,规定比正向转折电压小()V。A、100B、120C、150D、180

考题 晶闸管正向阻断峰值电压的数值,规定比正向转折电压小()。

考题 可控硅的主要特性参数有:正向阻断峰值电压PFV,反向阻断峰值电压PRV,额定正向平均电流IF,维持电流IH,控制级触发电压Vg,电压上升率dV/dt,电流上升率di/dt,额定结温Tc等。

考题 三相可控硅整流电路中,每个可控硅承受的最大反向电压是二次()。A、相电压值B、相电压峰值C、线电压值D、线电压峰值

考题 断开控制极后,能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压,称为正向阻断峰值电压。

考题 可控硅的正向阻断是()。A、可控硅加小向阳极电压,控制极加反向电压B、可控大地加厂向阳极电压,控制极不加反向电压C、可控硅加反向阳极电压,控制极加正向电压D、可控硅加反向阳极电压,控制极加反向电压

考题 当单相半波可控硅整流装置交流电源电压为220伏时,则应该选用()。A、220伏的可控硅元件B、300伏的可控硅元件C、500伏的可控硅元件D、250伏的可控硅元件

考题 可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小()V。

考题 晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门即断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。

考题 AB008机车电器元件()的导通条件有2个:一是元件的阳极和阴极之间加正向电压;二是控制极必须同时加L适当的正电压。A、三极管B、可控硅C、稳压管D、单结晶体管

考题 晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门极断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压,其值低于转折电压。

考题 当门极断开(Ig=0),元件处在额定结温时,正向重复峰值电压为正向不重复峰值电压()%。A、70B、80C、90D、100

考题 可控硅元件导通时,通过可控硅的电流是由电源电压和回路阻抗决定的

考题 可控硅元件控制极与阴极之间的反向电阻不一定比正向电阻大

考题 可控硅主要参数有:正向阻断峰值电压、()、()、控制极触发电压、维持电流等。

考题 测定硅整流元件的正向压降平均值时,硅整流元件应在额定冷却条件下通过()。A、反向漏电流;B、正向电流平均值;C、正向电流峰值;D、有效值。

考题 晶闸管的主要参数有()。A、正向阻断峰值电压B、反向阻断峰值电压C、额定正向平均电流D、控制极触发电压

考题 一般地,晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。

考题 晶闸管的正向阻断峰值电压,即在控制极断开和正向阻断条件下的电压,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。

考题 晶闸管的正向阻断峰值电压,即在控制极断开和正向阻断条件一的电压,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。

考题 通常所说多少伏的可控硅,是指它的()是多少伏。A、正向阻断峰值电压B、正向转折电压C、整流电压D、整流电流

考题 单选题当门极断开(Ig=0),元件处在额定结温时,正向重复峰值电压为正向不重复峰值电压()%。A 70B 80C 90D 100

考题 多选题35kV多元件支柱绝缘子的交流耐压试验值,应符合下列规定()A两个胶合元件者,每元件50kV;B三个胶合元件者,每元件34kV;C两个胶合元件者,每元件60KV;D三个胶合元件者,每元件50kV。E悬式绝缘子的交流耐压试验电压均取60kV。

考题 单选题AB008机车电器元件()的导通条件有2个:一是元件的阳极和阴极之间加正向电压;二是控制极必须同时加L适当的正电压。A 三极管B 可控硅C 稳压管D 单结晶体管

考题 判断题可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。A 对B 错

考题 填空题晶闸管正向阻断峰值电压的数值,规定比正向转折电压小()。