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多选题
电子真空理论中的负能空穴()。
A

带负电

B

带正电

C

质量为正,等于电子质量

D

质量为负,为电子质量的负值


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴,空穴B、空穴,电子C、电子,电子D、电子,空穴

考题 在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是(),N 型半导体中的电流主要是()。 A.电子电流,空穴电流B. 空穴电流,电子电流C. 电子电流,电子电流D. 空穴电流,空穴电流

考题 P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3

考题 在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3

考题 在N型半导体中()。 A、只有自由电子B、只有空穴C、有空穴也有电子D、没有空穴也没有自由电子

考题 N型半导体中,电子数目少于空穴数目,其导电能力主要由空穴决定。P型半导体中,电子数目多于空穴数目,其导电能力主要由电子决定。

考题 在半导体、气体或真空中,利用电子或空穴的最小物理实体是().

考题 电力晶闸管GTR内部电流是由()形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴

考题 半导体中的载流子()。A、只有电子B、只有空穴C、只有价电子D、自由电子和空穴

考题 P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A、空穴;空穴B、空穴;自由电子C、自由电子;空穴D、自由电子;自由电子

考题 电子真空理论中的负能空穴()。A、 带负电B、 带正电C、 质量为正,等于电子质量D、 质量为负,为电子质量的负值

考题 “负能空穴”的电荷状态如何?()A、正电B、负点C、不带电D、以上都不对

考题 空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子(共价键中的束缚电子)依次填补空穴而形成电流,空穴的运动方向与电子的运动方向(),因此认为空穴带正电。A、相同B、相反C、有时相同D、有时相反

考题 在半导体中由()导电。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、原子

考题 下列说法错误的有()。A、PIN吸收一个光子只产生一个电子B、APD能产生二次电子-空穴对C、APD吸收一个光子只产生一个电子D、APD和PIN都是加负偏压

考题 在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 半导体中的载流子为()。A、电子B、空穴C、正离子D、电子和空穴

考题 当环境温度升高时,本征半导体中() A、自由电子的数量增加,而空穴的数量基本不变B、自由电子的数量基本不变,而空穴的数量增加C、自由电子和空穴的数量都增加D、自由电子和空穴的数量都减少E、自由电子和空穴的数量都不变

考题 温度升高后,在纯净的半导体中()A、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同B、空穴增多,自由电子数目不变C、自由电子增多,空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变

考题 在热激发条件下,少数价电子获得足够激发能,进入导带,产生()。A、负离子B、空穴C、正离子D、电子-空穴对

考题 半导体中的载流子是指()A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴

考题 本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 单选题“负能空穴”的电荷状态如何?()A 正电B 负点C 不带电D 以上都不对

考题 单选题空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子(共价键中的束缚电子)依次填补空穴而形成电流,空穴的运动方向与电子的运动方向(),因此认为空穴带正电。A 相同B 相反C 有时相同D 有时相反

考题 单选题在非线性元件的伏安特性研究中,N型半导体和P型半导体中,多数载流子分别是()A 电子、空穴B 空穴、电子C 电子、电子D 空穴、空穴

考题 填空题在半导体、气体或真空中,利用电子或空穴的最小物理实体是().

考题 单选题P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A 空穴;空穴B 空穴;自由电子C 自由电子;空穴D 自由电子;自由电子