考题
vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。
A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
考题
MOS场效应管是电压控制元件,普通晶体管是电流控制元件。( )
此题为判断题(对，错)。
考题
CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()
此题为判断题(对，错)。
考题
结型场效应管的类型有()。
A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
考题
绝缘栅场效应管又称为MOS管()
此题为判断题(对，错)。
考题
双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规（单栅）MOS场效应管低两个数量级，因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。
考题
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
考题
MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻（）。
考题
MOS场效应管的输入电阻比J型场效应管的输入电阻（）得多。
考题
功率MOS场效应晶体管具有（）、（）和（）。
考题
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
考题
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
考题
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
考题
MOS场效应管按导电沟道划分为N和（）两大类。
考题
更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
考题
MOS场效应管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
考题
问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
考题
问答题如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？
考题
问答题什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?
考题
问答题为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？
考题
单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A
“IGBT”B
“BJT”C
“GTO”D
“MOSFET”