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判断题
同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。
A

对

B

错

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参考解析
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考题 在半导体中由（）导电。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、原子
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考题 制作霍尔元件应采用的材料是半导体材料，因为半导体材料能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现（）差最大。
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考题 本征半导体温度升高以后（）。A、自由电子增多，空穴数基本不变B、空穴数增多，自由电子数基本不变C、自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
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考题 温度升高后，在纯净的半导体中（）A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B、空穴增多，自由电子数目不变C、自由电子增多，空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变
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考题 本征半导体温度升高后（）。A、自由电子数目增多，空穴数目基本不变B、空穴数目增多，自由电子数目基本不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
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考题 单选题下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）A 漂移迁移率B 电导迁移率C 霍尔迁移率D 磁阻迁移率
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