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问答题
杂质半导体中，多子和少子是如何形成的？

参考答案

参考解析
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考题 PN结两端反向偏压时、难以进行()。 A、多子扩散B、少子扩散C、多子漂移D、少子漂移
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考题 P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。
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考题 P（N）型半导体的多子、少子
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考题 在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子
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考题 在本征半导体内掺入微量的3价元素，可形成（）型杂质半导体。其中的多子是（）
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考题 本征半导体掺入微量的（）元素，则形成P型半导体，其多子为（），少子为（）。
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考题 PN结加正向电压时，其正向电流是（）。A、多子扩散而成B、少子扩散而成C、少子漂移而成D、多子漂移而成
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考题 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是（）型半导体，其多子为（）。
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考题 在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。
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考题 在外电场作用下，漂移电流主要是（）运动引起，扩散电流主要是（）运动引起。A、多子，少子B、少子，多子C、多子，多子D、少子，少子
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考题 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）A、P型半导体，其少子为自由电子B、N型半导体，其多子为自由电子C、P型半导体，其少子为空穴D、N型半导体，其多子为空穴
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考题 对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
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考题 在P型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子。
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考题 在N型半导体中，多子是（），少子是（）；在P型半导体中，多子是（），少子是（）
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考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
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考题 温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）
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考题 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。A、少子B、多子C、杂质离子D、空穴
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考题 在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（）A、掺入杂质的浓度B、材料C、温度
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考题 杂质半导体多子的浓度受温度的影响很小。
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考题 在本征半导体中，（）是同时出现的.A、多子和少子B、正离子和负离子C、自由电子和空穴
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考题 名词解释题P（N）型半导体的多子、少子
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考题 填空题在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。
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考题 单选题半导体受光照、外电场作用，载流子浓度就要发生变化，这时半导体处于非平衡态。光照时（）的浓度几乎不变，（）的浓度却大大增加，因而可以说，一切半导体光电器件对光的响应都是（）的行为。请选择正确的答案（）A 多子---少子---少子；B 少子---多子---多子；C 多子---多子---多子D 少子---少子---少子。
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考题 单选题对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶
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考题 单选题在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A 正离子数B 负离子数C 质子D 原子
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考题 单选题PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。A 多子扩散B 少子扩散C 少子漂移D 多子漂移
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