考题
要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。A对B错
考题
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。A、大B、小C、相等D、无法判定
考题
开关二极管加正向偏置电压时导通,正向电阻很小,加反向偏置电压时截止,反向电阻很大。()
考题
在常温常压下,锗二极管的正向导通压降约为()。A、0.1~0.3VB、0.4~0.5VC、0.6~0.8VD、0.9~1.0V
考题
稳压二极管是利用()情况下管子电流变化很大而电压基本不变的这一特性。A、反向导通B、正向导通C、大电流D、高电压
考题
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
考题
开关二极管和普通二极管的导电特性相同,即加正向偏置电压导通,正向电阻很小;加反向偏置电压截止,()电阻很大。A、正向B、同步C、反向D、同向
考题
对于晶体二极管,下列说法不正确的是:()A、正向电阻很小B、反向电阻很大C、正向电压大于死区电压时才能导通D、反向电压多大都不会导通
考题
要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。
考题
在判断被测二极管是硅管还是锗管,一般情况下是通过测量()来判断的。A、正向电阻B、正向电流C、反向电阻D、正向导通电压
考题
锗二极管正向导通电压应为()。A、0.3vB、0.7vC、0vD、很大
考题
硅二极管的正向导通压降约为()A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
考题
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
考题
在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。
考题
二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
考题
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
考题
单选题对于二极管来说,以下说法错误的是()。A
正向电阻很小B
反向电阻很大C
无论加多大的反向电压,都不会导通D
所加正向电压大于死区电压时,二极管才真正导通
考题
判断题锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()A
对B
错
考题
单选题在判断被测二极管是硅管还是锗管,一般情况下是通过测量()来判断的。A
正向电阻B
正向电流C
反向电阻D
正向导通电压
考题
判断题硅二极管的正向电压约为0.2V。()A
对B
错