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可控硅的阴极、阳极均并有（），以防止过大的du／dt

  • A、LC吸收电路
  • B、电阻电路
  • C、RL吸收电路
  • D、RC吸收回路

参考答案

更多 “可控硅的阴极、阳极均并有（），以防止过大的du／dtA、LC吸收电路B、电阻电路C、RL吸收电路D、RC吸收回路” 相关考题
考题 晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du／dt和通态电流临界上升率等,若du／dt过大,就会使晶闸管出现______,若di／dt过大,会导致晶闸管______。
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考题 可控硅导通情况下,如果阳极与阴极相碰,则可控硅就会损坏。 A．错误B．正确
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考题 可控硅由阳极、阴极和控制极构成，控制可控硅的电流是由调节流入（）电流来进行的。A、KS阳极B、阴极C、控制极
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考题 可控硅中没有的极为（）。A、阳极B、阴极C、控制极D、基极
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考题 下列（）不是可控硅导通的条件。A、阳极和控制极之间加正向电压B、阳极和阴极间加正向电压C、阳极电流大于维持电流D、控制极和阴极间中正向电压
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考题 晶闸管原名叫可控硅，外接三个电极是阳极阴极和基极。
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考题 可控硅加上正电压，即阳极接正电压，阴极接负电压，可控硅可导通。
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考题 可控硅导通条件是（）。A、阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压B、阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压C、阳极与阴极加反向电压，控制极与阳极加反向电压D、阳极与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压
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考题 可控硅正常关断应具备哪些条件？（）A、流经可控硅的电流减小到零B、可控硅阳极与阴极之间保持一段时间为零或为负的电压C、可控硅阳极与阴极之间保持一段时间为零或为正的电压D、流过反向电流
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考题 可控硅的三个极分别称为（）。A、基极、集电极、发射极B、阳极、阴极、控制极C、基极、集电极、控制极D、阴极、阳极、基极
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考题 可控硅的三个电极是阴极、阳极、控制极。
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考题 要想使可控硅导通，必须同时在（）。A、阳极与阴极间加正向电压B、门极与阴极间加正向电压C、阳极与阴极间加反向电压D、门极与阴极间加反向电压
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考题 下列不是可控硅导通条件是（）。A、阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压B、阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压C、阳极与阴极加反向电压，控制极与阳极加反向电压D、阳极与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压
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考题 可控硅导通后，阳极与阴极之间只要瞬间短路，可控硅就立即关断。
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考题 可控硅导通的条件是（）。A、阴极电位高于阳极电位B、阳极电位高于阴极电位C、控制极有足够的正向电压D、控制极有足够的正向电流
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考题 下述（）说明可控硅已损坏。A、阴极阳极正反向都断路B、阴极阳极正反向都短路C、控制极与阴极断路D、阳极与控制极短路
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考题 过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。
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考题 可控硅导通和截止两个工作状态和（）等因素有关。A、阳极电压B、阳极电流C、可控硅内阻D、控制极电流E、阴极电流
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考题 可控硅元件由阳极、阴极和（）组成。
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考题 维持可控硅继续导通的最小（）电流叫可控硅的最小维持电流。A、阳极B、阴极C、正向D、反向
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考题 用示波器检查可控硅整流装置的“脉冲装置”输出脉冲，应将示波器接于可控硅元件的（）。A、阴极与阳极之间；B、控制极与阴极之间；C、控制极与阳极之间；D、控制极与"地"之
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考题 要使可控硅导通，阳极，阴极之间应为（）控制极，阴极之间（）
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考题 多选题下列不是可控硅导通条件是（）。A阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压B阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压C阳极与阴极加反向电压，控制极与阳极加反向电压D阳极与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压
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考题 判断题过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。A 对B 错
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考题 多选题下述（）说明可控硅已损坏。A阴极阳极正反向都断路B阴极阳极正反向都短路C控制极与阴极断路D阳极与控制极短路
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考题 填空题晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现（），若di/dt过大，会导致晶闸管（）。
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考题 多选题可控硅导通的条件是（）。A阴极电位高于阳极电位B阳极电位高于阴极电位C控制极有足够的正向电压D控制极有足够的正向电流
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