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沟道

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考题 在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
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考题 功率场效应晶体管一般为()。 A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型
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考题 功率场效应晶体管一般为()。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型
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考题 电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
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考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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考题 在隧道或电缆沟中不需设置防火墙的部位是（）。 A.公用主沟道的分支处； B.沟道中通风区段处； C.至控制室的沟道入口处； D.沟道中相隔约100m处.
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考题 排水沟道纵断面设计时，一般要求上级沟道的沟底不低于下级沟道沟底。
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考题 沟道密度
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考题 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
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考题 孔洞盖板及沟道盖板用于孔洞或沟道的（）
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考题 场效应管有结型和绝缘栅型两类，每一类中又分（）两种。A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
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考题 排水沟道系统的分级一般分为（）、（）、（）、（）四级固定沟道。
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考题 平均排除法适用于（）A、丘陵地区的排水沟道B、山区的排水沟道C、平原地区的得排水沟道D、高原区的排水沟道
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考题 单极型晶体管又称为（）管，其导电沟道有（）沟道和（）沟道。
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考题 结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 MOS种类分为？（）A、P沟道场管B、Q沟道场管C、D沟道场管D、N沟道场管
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考题 在隧道或电缆沟中不需设置防火墙的部位是（）。A、公用主沟道的分支处；B、沟道中通风区段处；C、至控制室的沟道入口处；D、沟道中相隔约100m处。
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考题 某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
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考题 当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
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考题 按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道
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考题 CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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考题 问答题描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制。
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考题 填空题单极型晶体管又称为（）管。其导电沟道分有（）沟道和P沟道。
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考题 单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
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考题 填空题排水沟道系统的分级一般分为（）、（）、（）、（）四级固定沟道。
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考题 多选题按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）A耗尽型B增强型CP沟道DN沟道
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考题 填空题孔洞盖板及沟道盖板用于孔洞或沟道的（）
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