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下列物质中载流子最多的是（）。

  • A、本征半导体
  • B、掺杂半导体
  • C、导体
  • D、绝缘体

参考答案

更多 “下列物质中载流子最多的是（）。A、本征半导体B、掺杂半导体C、导体D、绝缘体” 相关考题
考题 在温度升高时,本征半导体中载流子的数量将()
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考题 本征半导体参与导电通常有()种载流子。
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考题 本征半导体的载流子是()。
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考题 下列物质中载流子最多的是()。A.本征半导体B.掺杂半导体C.导体D.绝缘体
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考题 在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
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考题 有关半导体下列说法正确的是()。A.半导体就是一半导电，一半不导电B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体C.半导体中有两种载流子，既有自由电子载流子又有空穴载流子D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料
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考题 对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（）。A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的；B、它的载流子是空穴；C、它对外呈现正电；D、它的多数载流子是空穴。
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考题 本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
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考题 试分析、阐述导体、半导体（本征、掺杂）和绝缘体的能带结构特点。
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考题 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
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考题 本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体
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考题 P型半导体的多子为（）、N型半导体的多子为（）、本征半导体的载流子为（）。
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
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考题 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。
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考题 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。
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考题 在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。
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考题 本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
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考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
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考题 半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的
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考题 温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）
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考题 杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
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考题 N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
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考题 本征半导体在温度T=OK和无光照时，导电能力与（）很接近.A、金属B、小电阻C、绝缘体D、掺杂半导体
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考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
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考题 填空题本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
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