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当NPN型三极管的Vce<0.2V时，将工作在（）区。

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考题 NPN型三极管工作在放大区时,电位最高的是集电极,电位最低的是()极。
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考题 三极管3DG6是()三极管。 A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
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考题 NPN型三极管工作在放大区时,电位最高的是集电极,电位最低的是()。
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考题 在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE =0.2V、VCE = 4V，则这只三极管为( )。A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管
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考题 在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V，则这只三极管为（）。A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管
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考题 按照半导体的结构类型，可以将三极管划分为NPN型和（）型。A、PPNB、NPIC、PNPD、NIP
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考题 工作在放大状态的三极管，测得三个管脚的电位分别为：1脚，-3.2V，2脚，-3V，3脚，-6V。由此可以判定三极管为（）。A、NPN型硅管B、PNP型硅管C、NPN型锗管D、PNP型锗管
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考题 用万用表测量某电子线路中的晶体管测得VE=-3V、VCE=6V、VBC=-5.3V，则该管是（）。A、PNP型，处于放大工作状态B、PNP型处于截止工作状态C、NPN型，处于放大工作状态D、NPN型处于截止工作状态
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考题 NPN型三极管的发射区中多数载流子是电子
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考题 某NPN硅三极管各极电压为Ue=0V，Ub=0.2V，Uc=6V，该管处于（）状态.A、截止B、饱和C、放大
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考题 当NPN型硅管工作在饱和区，则UCE为0.7伏。
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考题 在NPN型晶体三极管电路中，测得Ue=0V，Ub=0.7V，Uc=5V，那么此三极管工作在（）区。A、放大B、饱和C、截止D、集电
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考题 在一NPN型晶体三极管电路中，测得Ue=8V，Ub=0.7V，Uc=12V，那么此三极管工作在（）区。A、放大B、饱和C、截止D、集电
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考题 晶体三极管的工作状态分为三个区域，当电源EC一定，IC很大，VCE很小Ib再增大，IC缓慢增大或不增大，三极管失去放大作用，此时三极管工作在（）。
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考题 三极管按结构不同分成NPN和PNP两种类型，NPN型三极管的结构是由两个（）的三层半导体制成。A、P区B、PN结C、N区D、PN极
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考题 三极管的型号为3DG6，它是（）三极管。A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
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考题 3AD18A、表示（）A、NPN型锗材料高频小功率三极管；B、PNP型锗材料低频大功率三极管；C、NPN型硅材料低频小功率三极管；D、NPN型硅材料高频小功率三极管
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考题 当NPN型BJT的VCE＞VBE且VBE＞0.5V时，则BJT工作在（）。A、截止区B、放大区C、饱和区D、击穿区
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考题 NPN型三极管组成的放大电路在工作时，已知VE=2.1V，VB=2.8V，VC=4.4V，则三极管处于（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、击穿区
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考题 为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结（）偏置，集电结（）偏置。 ②对于NPN型三极管，应使VBC（）。
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考题 晶体三极管工作在（）区时，关系式IC=βIB才成立；当三极管工作在（）区时，IC≈0；当三极管工作在（）区时，VCE≈0。
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考题 一只NPN型三极管，UE＝8V、UB＝0.7V、UC＝12V，它一定工作在（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、不确定
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考题 在NPN型晶体管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（）A、晶体三极管将深度饱和B、晶体三极管将截止C、晶体三极管的集电极将正偏
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考题 若三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（）。A、PNP型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、NPN型硅管
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考题 在实际工作中，NPN型三极管和PNP型三极管可直接替换。
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考题 NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管（）A、集电极对发射极的电压VCE下降B、基极电流增大C、集电极对发射极的电压VCE上升
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考题 填空题晶体三极管的工作状态分为三个区域，当电源EC一定，IC很大，VCE很小Ib再增大，IC缓慢增大或不增大，三极管失去放大作用，此时三极管工作在（）。
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