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问答题
试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
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考题
可控硅的主要特性参数有:正向阻断峰值电压PFV,反向阻断峰值电压PRV,额定正向平均电流IF,维持电流IH,控制级触发电压Vg,电压上升率dV/dt,电流上升率di/dt,额定结温Tc等。
考题
造成晶闸管误导通的主要原因有()。 A、通过晶闸管的通态电流上升率过大B、通过晶闸管的通态电流上升率过小C、干扰信号加于控制板D、加到晶闸管阳极上的电压上升率过大E、加到晶闸管阳极上的电压上升率过小
考题
造成在不加门极触发控制信号,即能使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素。一是阳极的电压上升率du/dt太快,二是()。A、门极电压过高B、阳极电压过高C、阴极电压过高D、阳极电压过低
考题
多选题据楞次定律可知,线圈的电压与电流满足()关系。A(di/dt)0时,eL0B(di/dt)0时,eL0C(di/dt)0时,eL0D(di/dt)0时,eL0
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