考题
IGBT是一个复合型的器件,它是( )
A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
考题
按驱动电路信号的性质分类,晶闸管属于()型器件。A、电流驱动B、电压驱动C、单极D、双极
考题
写出四个电力电子器件名称(),其中属于全控型器件又是电压驱动的是()。
考题
GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。
考题
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。
A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
考题
下列器件属于电压驱动型的是()。A、IGBTB、GTRC、GTOD、晶闸管
考题
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式
考题
不属于IGBT管特点的是（）A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件
考题
IGBT属于一种电压控制型器件，只要对其输入端提供一种正向驱动电压就可使其导通，反之，断去其驱动电压便可使其关断。
考题
下列电力电子器件属于全控型器件的是（）。A、SCRB、GTOC、GTRD、MOSFETE、IGBT
考题
试比较电流驱动型和电压驱动型器件实现器件通断的原理。
考题
下列属于单极型电压驱动型器件的是（）。A、GTRB、GTOC、MOSFETD、IGBT
考题
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
考题
电力电子器件IGBT为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
考题
下列为电压型控制器件的是（）。A、GTOB、GTRC、P－MOSFETD、IGBT
考题
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
考题
电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
考题
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
考题
判断题IGBT属于电压驱动型器件。A
对B
错
考题
多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于（）器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型
考题
单选题电力电子器件IGBT为（）器件。A
电压控制型B
电流控制型C
单极型D
双极型
考题
判断题IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。A
对B
错
考题
判断题IGBT属于一种电压控制型器件，只要对其输入端提供一种正向驱动电压就可使其导通，反之，断去其驱动电压便可使其关断。A
对B
错
考题
填空题电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
考题
单选题下列属于单极型电压驱动型器件的是（）。A
GTRB
GTOC
MOSFETD
IGBT