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GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。


参考答案

更多 “GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。” 相关考题
考题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

考题 IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO

考题 已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等

考题 下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管E、GOT(GTO)

考题 电力电子器件是构成变频器的关键器件之一。下列电力电子器件中属于半控型器件的是()A、SCRB、GTR或BJTC、MOSFETD、IGBT

考题 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

考题 GTO一种全控型电力电子器件。

考题 GTO是()型器件。A、全控B、半控

考题 为什么普通晶闸管是半控型器件,而GTO是全控型器件?

考题 IGBT是()型器件。A、全控B、半控

考题 说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。

考题 下列电力电子器件属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、MOSFETE、IGBT

考题 IGBT是一个复合型的器件,它是()。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO

考题 下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是()A、GTO和SCRB、GTR和电力二极管C、GTR和SCRD、GTO和GTR

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

考题 在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

考题 IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。

考题 门极可关断的晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件,属于()器件。A、不可控型B、半控型C、全控型D、以上答案全错

考题 下列电力电子器件中不属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、IGBT

考题 单选题IGBT是()型器件。A 全控B 半控

考题 单选题GTO是()型器件。A 全控B 半控

考题 问答题说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。

考题 单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。A GTO和GTR;B TRIAC和IGBT;C MOSFET和IGBT;D SCR和MOSFET;

考题 问答题为什么普通晶闸管是半控型器件,而GTO是全控型器件?

考题 问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

考题 填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。