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IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。


参考答案

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考题 写出四个电力电子器件名称(),其中属于全控型器件又是电压驱动的是()。

考题 IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式

考题 下列全控型开关器件属于电流型驱动的有()。A、IGBTB、GTOC、MOSFETD、SITH

考题 GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。

考题 下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管E、GOT(GTO)

考题 下列全控型开关器件中属于电压型驱动的有()。A、GTRB、GTOC、MOSFETD、达林顿管

考题 按器件的可控性分类,普通晶闸管属于()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、电压型器件

考题 下列全控型器件中开关速度最快的是()。A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT

考题 IGBT是()型器件。A、全控B、半控

考题 下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管

考题 下列电力电子器件属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、MOSFETE、IGBT

考题 下列属于单极型电压驱动型器件的是()。A、GTRB、GTOC、MOSFETD、IGBT

考题 IGBT属于电压驱动型器件。

考题 斩控式交流调压电路一般采用的开关器件是()A、电力二极管B、机械式开关C、半控型器件D、全控型器件

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

考题 在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。

考题 在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

考题 电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 下列电力电子器件中不属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、IGBT

考题 判断题在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。A 对B 错

考题 判断题IGBT属于电压驱动型器件。A 对B 错

考题 单选题IGBT是()型器件。A 全控B 半控

考题 多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于()器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型

考题 填空题电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 多选题功率半导体器件按照驱动信号类型可分类为()。A不可控器件B电流驱动型C电压驱动型D半控型器件

考题 填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。