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如果受到光照,半导体的自由电子数将增加,电阻值将()。

  • A、增加
  • B、不变
  • C、减少
  • D、一会增加,一会减少

参考答案

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考题 半导体中自由电子的数量大大超过“空穴”的数量,成为以自由电子为主的半导体,称为P型半导体。() 此题为判断题(对,错)。

考题 张力计中,半导体应变片受力变形后其电阻值将发生变化。() 此题为判断题(对,错)。

考题 下列关于P型半导体的说法正确的是()。A、自由电子`数大于空穴总数B、空穴总数远大于自由电子数C、自由电子成为多数载流子D、空穴成为少数载流子

考题 纯净的半导体是室温下几乎是不导电的,又称本征半导体。但如果给本征半导体掺入微量杂质、加热提高温度或在光照等物理作用下,半导体的导电能力将大大增强,从而变成导体,这就是半导体的导电特性。() 此题为判断题(对,错)。

考题 如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为()半导体。 A、N型B、P型C、本征

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 关于本征半导体载流子,下面描述错误的是:()A、自由电子和空穴总是成对出现B、电子可以自由移动,空穴不能自由移动C、在温度升高和受光照射时,载流子的数目将增加D、自由电子和空穴在外电场作用下,运动方向相反,形成的电流方向相同,总电流是两者之和

考题 电缆长度增加,其绝缘电阻值将()。

考题 N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体

考题 半导体自由电子数远多于空穴数称为电子型半导体,简称N型半导体。

考题 本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是()。A、自由电子数目增加,空穴数目不变B、空穴数目增多,自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同D、自由电子和空穴数目不变

考题 在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 当环境温度升高时,本征半导体中() A、自由电子的数量增加,而空穴的数量基本不变B、自由电子的数量基本不变,而空穴的数量增加C、自由电子和空穴的数量都增加D、自由电子和空穴的数量都减少E、自由电子和空穴的数量都不变

考题 当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时,将导致半导体材料()。A、载流子数增加,电阻减小B、载流子数减少,电阻减小C、载流子数增加,电阻增大D、载流子数减少,电阻增大

考题 本征半导体温度升高以后()。A、自由电子增多,空穴数基本不变B、空穴数增多,自由电子数基本不变C、自由电子数和空穴数都增多,且数目相同

考题 当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量()A、增加B、减少C、不变

考题 在P型半导体中,空穴数远远小于自由电子数。

考题 本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,下列关于气敏传感器工作机理的描述,不正确的是()。A、氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子增多,电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加

考题 如果温度升高,半导体的自由电子数将()A、增加B、不变C、减少D、一会增加,一会减少

考题 如果温度升高,半导体的电阻值将()。A、增加B、不变C、减少D、一会增加,一会减少

考题 半导体的空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体

考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数。

考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

考题 半导体的自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

考题 半导体中的空穴和自由电子数相等,这样的半导体称为()。A、P型半导体B、本征半导体C、N型半导体D、PN结