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硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()V和()V。

参考答案

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考题 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
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考题 晶体管工作在放大状态时,必须满足外加电压发射结(),集电结()。
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考题 硅晶体管的饱和电压降为(),锗晶体管的饱和电压降为()。
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考题 为了使晶体管正常工作在放大状态,发射结必须加()电压,集电结必须加()电压。
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考题 硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。
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考题 NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该晶体管的工作状态是() A、饱和B、正常放大C、截止
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考题 常温下,硅晶体管的UBE=0.7V,且随温度升高UBE增加。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 某一晶体管工作在放大状态,测得其三个极的电位分别为－ 0.7V、－1V、－6V,则下列说法错误的是()。 A.此晶体管为硅管B.- 0.7V为发射极C.-1V为基极D.此晶体管为PNP管
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考题 测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、 2.2V,则该管()。 A.处于饱和状态B.处于放大状态C.处于截止状态D.已损坏
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考题 设所有的二极管X晶体管为硅管，二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE＝0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是（　　）。 A． VT1饱和，VT2饱和 B． VT1截止，VT2饱和 C． VT1截止，VT2放大 D． VT1放大，VT2放大
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考题 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。A.0.7 B.0.5 C.0.3 D.0.1
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考题 晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态。
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考题 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为V=-1．7V，V=-1．4V，VC=5V，则该管类型为（）。A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
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考题 晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。
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考题 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。
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考题 当NPN三极管发射结电压小于0V；集电结电压小于0V时，三极管的工作状态是（）。A、导通状态B、放大状态C、截止状态D、不确定
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考题 发射结处于正向偏置的晶体管，其一定是工作于放大状态。（）
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考题 当NPN三极管发射结电压大于0.6V；集电结电压也大于0.6V时，三极管的工作状态是（）。A、导通状态B、放大状态C、截止状态D、不确定
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考题 欲使晶体管具有放大作用，发射结应加（）电压。A、正向B、反向C、0.3VD、0.6V
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考题 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
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考题 某NPN型管电路中，测得UBE=0V，UBC=—5V，则可知管子工作于（）状态。A、放大B、饱和C、截止D、不能确定
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考题 NPN晶体管处于截止状态的条件是（）。A、UBE0.7VB、UBE0.7VC、UBE=0.7V
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考题 当NPN三极管发射结电压大于0.6V，集电结电压小于0.6V时，三极管处于（）。A、导通状态B、放大状态C、截止状态D、不确定
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考题 测得NPN型晶体三极管的极间电压UBE=0.7V、UCE=0.3V，则该管工作在（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、反向放大状态
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考题 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V
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考题 单选题测得某PNP型晶体管三个极的电位分别为VC＝0.4V、VB＝1.5V、VE＝1.2V，可判断该管工作于（）状态。A 截止B 饱和导通C 线性放大D 非线性放大
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考题 单选题已知一晶体管的E、B、C三个极的电位分别为0.5V、1.2V、5.6V，此管工作于（）状态，此管属（）型。A 饱和／NPNB 放大／NPNC 饱和／PNPD 放大／PNP
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考题 单选题已知某晶体管的E、B、C三个极的电位分别为－8V、－8.3V、－12V，则此管工作于（）状态，此管属（）型。A 截止／NPNB 截止／PNPC 放大／NPND 放大／PNP
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