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热退火用于消除离子注入造成的损伤,温度要低于杂质热扩散的温度,然而,杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象,解释其原因。


参考答案

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考题 管材表面连续出现划痕,以下哪些不是造成其原因的()A、定型模具内有杂质B、低分子物析出,粘在机头口模处C、机筒温度设定过高D、口模处粘付杂质

考题 沉淀的表面吸咐杂质的量与杂质离子浓度,沉淀表面积、溶液温度成正比关系。()

考题 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。A、能量B、剂量

考题 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为()分布。A、高斯B、余误差C、指数

考题 离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()和()。

考题 影响电池自放电快与慢的原因主要有()A、温度B、杂质含量C、电解液密度

考题 蓄电池自放电现象产生原因()A、杂质的影响B、用户使用C、温度

考题 造成麻点的原因是()。A、冷却不均匀B、杂质较多C、加热温度过高D、轧制速度快

考题 吸附塔杂质超载的主要原因有()。A、进料温度高B、工艺阀门泄露C、吸附时间短D、杂质规格超标

考题 润滑油的机械杂质不合格原因有()。A、搅拌效果B、添加剂杂质过高C、基础油带有杂质D、调合温度过高,油品氧化变质

考题 使用过的标准铂电阻温度计作周期检定前,要先行退火,其主要目的是()。A、稳定玷污到感温元件上杂质B、减小杂散电势C、稳定自热效应D、消除机械震动或淬火产生的附加应力

考题 当乙炔发生器停用或乙炔输送管道内温度低于16度时,应用热水冲洗以()。A、清除杂质B、保持清洁C、消除水合晶体堵塞D、消除静电

考题 ()就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面,使其中离子注入层在极短的时间内达到高温,消除损伤。A、热退火B、激光退火C、连续激光退火D、脉冲激光退火

考题 蓄电池的自放电和内部杂质、温度等因素有关,杂质增多,自放电() ,温度升高,自放电() 。

考题 吸附塔杂质超载的主要原因不包括()。A、进料温度高B、工艺阀门泄露C、吸附时间短D、杂质规格超标

考题 下面影响沉淀纯度的叙述不正确的是()。A、溶液中杂质含量越大,表面吸附杂质的量越大B、温度越高,沉淀吸附杂质的量越大C、后沉淀随陈化时间增长而增加D、温度升高,后沉淀现象增大

考题 滑动轴承造成温度过高的原因有()。A、缺油B、油中有杂质C、间隙过小

考题 以下原因中会造成制品溢边的有()。A、注射压力太小B、锁模力太小C、原料含有杂质D、模具温度太低

考题 单选题蓄电池自放电现象产生原因()A 杂质的影响B 用户使用C 温度

考题 单选题内保温的现浇钢筋混凝土大板结构,在冬季楼板与外墙交接处经常出现返潮或凝结水的现象,造成的原因是()。A 冷桥现象造成此处的雨雪的渗漏B 冷桥现象造成此处的保温层的厚度不够C 冷桥现象造成此处的温度低于露点温度D 冷桥现象造成此处的温度高于露点温度

考题 问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么?与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么?

考题 判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数,两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错

考题 单选题离子注入与热扩散相比,哪个横向效应小()A  离子注入B  热扩散

考题 判断题离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除,掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A 对B 错

考题 问答题离子注入后为什么要进行热退火

考题 多选题滑动轴承造成温度过高的原因有()。A缺油B油中有杂质C间隙过小

考题 判断题在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。A 对B 错