考题
BJT处于截止状态的条件是()。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。A、前者反偏、后者反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者正偏D、前者反偏，后者正偏
考题
当三极管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A.前者反偏，后者也反偏B.前者正偏，后者反偏C.前者正偏，后者也正偏
考题
变容二极管采用()电压,它的值越大结电容则()
A.正偏、越小B.反偏、越小C.正偏、越大D.反偏、越大
考题
处于饱和状态的三极管，其工作状态为（）。A.发射结正偏、集电结反偏
B.发射结反偏、集电结正偏
C.发射结反偏、集电结反偏
D.发射结正偏、集电结正偏
考题
三极管工作于放大状态的条件是（ ）。A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结正偏，集电结正偏
C.发射结反偏，集电结正偏
D.发射结反偏，集电结反偏
考题
晶体三极管用于放大时则（）A发射结反偏，基电结反偏。B发射结正偏，基电结反偏。C发射结正偏，基电结正偏。D发射结反偏，基电结正偏。
考题
晶体三极管用于放大时，应使其（）。A、収射结正偏、集电结反偏B、収射结正偏、集电结正偏C、収射结反偏、集电结正偏D、収射结反偏、集电结反偏
考题
晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A、集电结正偏，发射结反偏B、集电结反偏，发射集正偏C、集电结，发射结均反偏D、集电结，发射结均正偏
考题
当晶体管处于开关饱和状态下，BE结处于（）、BC结处于（）A、正偏；正偏B、正偏；反偏C、反偏；正偏D、反偏；反偏
考题
变容二极管采用（）电压，它的值越大结电容则（）。A、正偏、越小B、反偏、越小C、正偏、越大D、反偏、越大
考题
晶体三极管放大区的特点是（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
结型场效应管利用删源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。A、反偏电压B、反向电流C、正偏电压D、正向电流
考题
当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）A、前者反偏、后者也反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者也正偏D、前者反偏、后者也正偏
考题
三极管工作于放大状态的条件是（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
半导体三极管处在饱和状态时是（）A、发射结反偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结正偏
考题
三极管工作在饱和区，要求（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于（）A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结反偏、集电结正偏D、.发射结反偏、集电结反偏
考题
处于截止状态的三极管，其工作状态是（）。A、射结正偏，集电结反偏B、射结反偏，集电结反偏C、射结正偏，集电结正偏D、射结反偏，集电结正偏
考题
若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
考题
晶体三级管电流放大的偏置条件是（）。A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结正偏
考题
晶体三极管用于放大时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，基集反偏
考题
当三极管工作在放大区时，发射结电压和集电极电压应为（）A、反偏、反偏B、反偏、正偏C、正偏、反偏D、正偏、正偏
考题
单选题结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。A
反偏电压B
反向电流C
正偏电压D
正向电流
考题
单选题晶体三极管用于饱和时，应使其发射结、集电结处于（）A
发射结正偏、集电结反偏B
发射结正偏、集电结正偏C
发射结反偏、集电结正偏D
发射结反偏、集电结反偏
考题
单选题晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A
集电结正偏，发射结反偏B
集电结反偏，发射集正偏C
集电结，发射结均反偏D
集电结，发射结均正偏
考题
单选题若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A
发射结正偏、集电结正偏B
发射结反偏、集电结反偏C
发射结正偏、集电结反偏D
发射结反偏、集电结正偏