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超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。

  • A、高分辨率
  • B、高灵敏度
  • C、精密的套刻对准
  • D、大尺寸
  • E、低缺陷

参考答案

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考题 B型超声诊断仪制造工艺采用（）A、光刻B、声刻C、雕刻D、透镜
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考题 闸板防喷器封闭不严的应检查（）。A、闸板前端是否有硬东西卡住B、两块闸板尺寸是否与所封钻具（管柱）尺寸一致C、花键套、滑套是否卡死D、两闸板封闭处钻具有无缺陷（如不圆）E、胶芯是否老化F、检控压力是否低
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考题 什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？
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考题 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
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考题 大型精密箱体工件加工的主要工艺特征是（）。A、外形尺寸大B、形状复杂C、加工个工作量大，加工困难D、加工尺寸精度要求高E、各加工表面形位公差要求高F、加上表面要充分消除内应力，以减少加工变形
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考题 精密注射成型的主要的工艺特点有哪些？精密注射成型工艺对注射机以及注射模的设计有什么要求？
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考题 精密水准仪用较高灵敏度的水准器，建立精密的水平视线。
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考题 晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
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考题 问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
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考题 问答题光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？
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考题 判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A 对B 错
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考题 问答题常见的光刻对准曝光设备有？
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