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光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。()
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考题
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。A、二氧化硅B、氮化硅C、光刻胶D、去离子水
考题
下列有关蒙版(Mask)描述不正确的是()A、通过Transparency(透明)调板弹出菜单中的MakeOpacityMask(创建透明蒙版)命令可以在两个图形之间创建透明蒙版B、蒙版可以遮盖图形的部分区域C、只有一般路径可用来制作蒙版,复合路径不能用来制作蒙版D、蒙版图形和蒙版之间的链接关系一旦建立,就不能删除
考题
多选题下列有关蒙版(Mask)描述不正确的是()A通过Transparency(透明)调板弹出菜单中的MakeOpacityMask(创建透明蒙版)命令可以在两个图形之间创建透明蒙版B蒙版可以遮盖图形的部分区域C只有一般路径可用来制作蒙版,复合路径不能用来制作蒙版D蒙版图形和蒙版之间的链接关系一旦建立,就不能删除
考题
判断题对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A
对B
错
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