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问答题
常见的光刻对准曝光设备有？

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考题 光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。
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考题 光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。A、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶B、涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶C、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶D、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
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考题 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度
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考题 试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？
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考题 光刻加工的工艺过程为（）A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
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考题 例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
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考题 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。A、ARCB、HMDSC、正胶D、负胶
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考题 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。A、化学增强B、化学减弱C、厚度增加D、厚度减少
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考题 光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）A、电子束曝光技术B、离子束曝光技术C、X射线曝光技术
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考题 判断题曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。A 对B 错
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考题 问答题光刻的曝光方式有几种？各有何特点？
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考题 填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。
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考题 单选题光刻加工的工艺过程为：（）A ①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B ①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C ①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
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考题 问答题光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？
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考题 判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A 对B 错
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考题 填空题光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。
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考题 问答题简述几种常见的光刻方法。
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考题 填空题光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）； 曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。
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考题 判断题先进集成电路加工中，主要采用投影式光刻曝光技术。A 对B 错
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考题 问答题典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？
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考题 填空题光刻的图形曝光方式有：接触式曝光、接近式曝光和（）曝光。
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考题 问答题列出并描述光刻中使用的两种UV曝光光源。
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考题 问答题例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
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考题 单选题光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）。A 电子束曝光技术B 离子束曝光技术C X射线曝光技术
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考题 判断题步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。A 对B 错
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考题 问答题光刻技术中的常见问题有那些？
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考题 多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀
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