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硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。

  • A、粒子的扩散
  • B、化学反应
  • C、从气体源通过强迫性的对流传送
  • D、被表面吸附

参考答案

更多 “硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。A、粒子的扩散B、化学反应C、从气体源通过强迫性的对流传送D、被表面吸附” 相关考题
考题 脱气过程的限制性环节是( )。A.气体原子在钢液中的扩散B.气体分子在钢液面的吸附C.气体分子在钢液面的化合
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考题 波束扩散角是晶片尺寸和传播介质中声波波长的函数并且随（）A、频率增加，晶片直径减小而减小B、频率或晶片直径减小而增大C、频率或晶片直径减小而减小D、频率增加，晶片直径减小而增大
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考题 二氧化碳的还原机理是当CO2流过炭粒子时，在炭粒子表面生成一层气体薄膜。由于分子扩散和涡流扩散，CO2透过这层膜到达固体炭粒的表面，被炭吸附和中间化合物。
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考题 压电晶片的两个工作面上积聚的电荷量与（）成正比。A、工作面的面积B、作用在晶片上的压强C、作用在晶片上的力D、晶片厚度
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考题 半透膜是只能允许溶剂水分子通过的薄膜，其它粒子均不能通过。
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考题 压电晶片，通过逆压电效应产生超声波。（）
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考题 脱气过程的限制性环节是（）。A、气体原子在钢液中的扩散B、气体分子在钢液面的吸附C、气体分子在钢液面的化合
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考题 半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。A、随频率增加、晶片尺寸减小而减小B、随频率或晶片尺寸减小而增大C、随频率或晶片尺寸减小而减小D、频率增加、晶片尺寸减小而增大
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考题 波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数，并且（）A、频率或晶片直径减少时增大B、频率或晶片直径减少时减少C、频率增加而晶片直径减少时减少
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考题 波束指向角是晶片的尺寸和它所通过的介质中声波波长的函数，并且（）A、频率或晶片直径减小时增大B、频率或晶片直径减小时减小C、频率增加而晶片直径减小时增大D、等于速度和频率的乘积
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考题 超声波从探头的压电晶片到工件表面的距离称为（）。
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考题 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。A、内部的杂质分布B、表面的杂质分布C、整个晶体的杂质分布D、内部的导电类型E、表面的导电类型
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考题 涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。A、进行去水烘烤以保证晶片干燥B、在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好C、刚刚处理好的晶片应立即涂胶D、贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥E、也可以直接使用贮存的晶片
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考题 （）二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。A、扩散型B、合金型C、键型D、点接触型
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考题 波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数，并且（）。A、频率或晶片直径减少时增大B、频率或晶片直径减少时减少C、频率增加而晶片直径减少时减少D、频率或晶片直径增大时增大
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考题 波束扩散角是晶体的尺寸和在所通过的介质中声波波长的函数，并且（）。A、频率不变时晶片直径减小时增大B、频率不变时晶片直径减小时减小C、频率增加而晶片直径减小时增大D、频率增加而晶片直径减小时减小
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考题 晶片发射波束的扩散程度主要取决于（）。A、探伤仪类型B、晶片背衬的致密性C、频率和晶片尺寸D、脉冲长度
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考题 单选题压电晶片的两个工作面上积聚的电荷量与（）成正比。A 工作面的面积B 作用在晶片上的压强C 作用在晶片上的力D 晶片厚度
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考题 单选题波束指向角是晶片的尺寸和它所通过的介质中声波波长的函数，并且（）A 频率或晶片直径减小时增大B 频率或晶片直径减小时减小C 频率增加而晶片直径减小时增大D 等于速度和频率的乘积
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考题 单选题半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。A 随频率增加、晶片尺寸减小而减小B 随频率或晶片尺寸减小而增大C 随频率或晶片尺寸减小而减小D 频率增加、晶片尺寸减小而增大
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考题 单选题波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数，并且（）A 频率或晶片直径减少时增大B 频率或晶片直径减少时减少C 频率增加而晶片直径减少时减少
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考题 单选题波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数，并且（）。A 频率或晶片直径减少时增大B 频率或晶片直径减少时减少C 频率增加而晶片直径减少时减少D 频率或晶片直径增大时增大
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考题 填空题超声波从探头的压电晶片到工件表面的距离称为（）。
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考题 单选题（）二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。A 扩散型B 合金型C 键型D 点接触型
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考题 单选题波束扩散角是晶体的尺寸和在所通过的介质中声波波长的函数，并且（）。A 频率不变时晶片直径减小时增大B 频率不变时晶片直径减小时减小C 频率增加而晶片直径减小时增大D 频率增加而晶片直径减小时减小
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