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涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。

  • A、进行去水烘烤以保证晶片干燥
  • B、在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好
  • C、刚刚处理好的晶片应立即涂胶
  • D、贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥
  • E、也可以直接使用贮存的晶片

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考题 超声波的频率取决于晶片的振动频率,()。 A、频率越高晶片越厚B、频率越高晶片越薄C、频率越低晶片越薄D、频率越低晶片越小
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考题 面积相同、频率相同的圆晶片和方晶片，声束指向性也相同（）
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考题 波束扩散角是晶片尺寸和传播介质中声波波长的函数并且随（）A、频率增加，晶片直径减小而减小B、频率或晶片直径减小而增大C、频率或晶片直径减小而减小D、频率增加，晶片直径减小而增大
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考题 晶片厚度与晶片的频率密切相关，晶片厚度越厚，频率越低。
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考题 压电晶片的两个工作面上积聚的电荷量与（）成正比。A、工作面的面积B、作用在晶片上的压强C、作用在晶片上的力D、晶片厚度
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考题 半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。A、随频率增加、晶片尺寸减小而减小B、随频率或晶片尺寸减小而增大C、随频率或晶片尺寸减小而减小D、频率增加、晶片尺寸减小而增大
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考题 红外线分析仪测量气室或晶片被污染后，使仪器灵敏度下降，测量误差增大，在清洗气室及窗口晶片时，要选择相应的清洗剂，严禁破坏（）的光滑度。A、切光片B、气室内壁C、晶片D、参比室
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考题 腐蚀时量测频率的操作方法是：（）A、在热水槽中取出腐蚀篮，用塑料镊子夹取少数晶片到抹布上B、擦干晶片，在测频仪上量测晶片频率C、夹取晶片时动作轻重都可D、量测前不用校对频率标晶
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考题 腐蚀前的来料检查，正确的说法是：（）A、腐前必须先抽腐500片到1000片晶片，然后送外观检验，合格后方可腐蚀，玻璃条否全部挑出B、抽测晶片来料频率，并在腐前电子档里记录频率数据C、晶片表面干净与否将直接影响晶片腐蚀后的外观D、测试腐蚀前频率是为了准确的计算腐蚀时间并检查频散情况
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考题 如果八面体晶片的中央位置由A13+、Fe3+等三价离子占据2／3，留下1／3的空位，这种晶片特称为（）。A、二八面体晶片B、三八面体晶片C、四八面体晶片D、五面体晶片
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考题 探头中使用压电陶瓷晶片的优点是（）。A、激励电脉冲的宽度B、发射电路阻尼电阻的大小C、晶片的材料和厚度D、晶片的机电耦合系数
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考题 探头晶片尺寸大时，近场的覆盖范围也大，晶片小时，近场的覆盖范围也小。但在远场处由于指向性的关系，大尺寸晶片的覆盖范围有可能小于尺寸晶片。
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考题 超声波探头所选用压电晶片的频率与晶片厚度有密切关系，频率越高，晶片越薄。
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考题 压电晶片的压电电压常数（g33）大，则说明该晶片接收性能好
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考题 探头的频率取决于（）。A、晶片的厚度B、晶片材料的声速C、晶片材料的声阻抗D、晶片材料的密度
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考题 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。A、内部的杂质分布B、表面的杂质分布C、整个晶体的杂质分布D、内部的导电类型E、表面的导电类型
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考题 涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。A、后烘B、去水烘烤C、软烤D、烘烤
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考题 钢轨探伤车所用组合探头内含不同角度的晶片分别为0°晶片、（）晶片、70°晶片、40°晶片。
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考题 波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数，并且（）。A、频率或晶片直径减少时增大B、频率或晶片直径减少时减少C、频率增加而晶片直径减少时减少D、频率或晶片直径增大时增大
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考题 单选题压电晶片的两个工作面上积聚的电荷量与（）成正比。A 工作面的面积B 作用在晶片上的压强C 作用在晶片上的力D 晶片厚度
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考题 单选题半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。A 随频率增加、晶片尺寸减小而减小B 随频率或晶片尺寸减小而增大C 随频率或晶片尺寸减小而减小D 频率增加、晶片尺寸减小而增大
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考题 单选题波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数，并且（）。A 频率或晶片直径减少时增大B 频率或晶片直径减少时减少C 频率增加而晶片直径减少时减少D 频率或晶片直径增大时增大
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