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用正接线法测量绝缘介损一定比反接法测量的介损值要大。


参考答案

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考题 测量绝缘介损角正切值的方法是()。 A、冲击电压发生器B、西林电桥法C、兆欧表D、以上都不是

考题 测量C1与C2相串联的电容式电压互感器绝缘介损时,一般情况下C1<C2/5,所以测量时主要反映(C1)的介损值。

考题 若测量一台110kV油浸式电流互感器主绝缘介损为0.75%,绝缘电阻为10000MΩ,末屏对地的绝缘电阻为120MΩ,末屏介损为2.5%,该设备()A、可以继续运行,主绝缘良好,且介损值在规程规定值以内B、可以继续运行,缩短试验周期C、可以继续运行,运行中末屏接地,末屏对地的绝缘电阻测量结果仅做参考D、不可以继续运行,测量值超出规程规定值

考题 采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时,可选择的接线方法是()。A、自激法B、末端加压法C、末端屏蔽法

考题 断路器断口均压电容器组装前应按规程完成()。A、电容值测量B、绝缘电阻测量C、高压介损测量D、耐压试验

考题 测量变压器整体对地介损tgδ,可采用介损仪正接线及反接线。

考题 测量变压器绕组的介损值时,介损测试仪应该使用正接法。()

考题 测量绝缘介质出现负值的主要原因是()A、标准电容有介损且大于被试品的介损B、电场干扰C、空间干扰D、湿度影响

考题 采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压,X端和底座接地,二、三次短路后,引入介损仪,采用正接线。

考题 用介损仪反接线测量小电容量试品(<50PF)的介损tgδ及Cx时,在附近处有物体(如梯子等)情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值()。A、大B、相等C、小D、以上均不是

考题 当标准电容器有很大的介损时,实测试品(绝缘)介损一定为负值。

考题 用反接线测量电磁式电流互感器的介损,一次加压,二次开路,对其测量介损tgδ值影响不大。

考题 测量CVT分接电容C2的介损和电容量时,C2的“δ”点接介损电桥的高压端,主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端,用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限,为保护“δ”,试验电压不超过()。A、10000VB、5000VC、2500VD、1000V

考题 在现场相同条件下(好天气),用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时,用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。

考题 在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时,若存在电场干扰,则在任意测试电源极性的情况下,所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。

考题 用不拆高压引线方式测量220kV电容式电压互感器介损及电容量,操作正确的是()。A、用反接屏蔽法测量电容分压器上节B、用正接法测量电容分压器上节C、用自激法测量电容分压器中、下节D、用反接法测量电容分压器中、下节

考题 用反接线方式,测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ,如介损仪本体接地不良,与其介损测量结果无关。

考题 小电容(小于500PF)试品,主要有电容型套管、电容型电流互感器等,对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量,测得的介损tgδ值是一样的。

考题 测量串级式电压互感器介损tgδ的接线方法,有哪几种?

考题 用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ,应采用何种接线?如何接线?

考题 用正接接线方式,测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ,如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏(接地小套管)接触不良,影响介损测量结果准确性。

考题 使用高压电桥测量耦合电容器(包括断路器的断口均压电容器)的介损和电容时,宜采用(),反接线测量误差较()。A、反接;小B、正接;大C、反接;大D、正接;小

考题 进行串级式电压互感器介损测量的方法主要有()。A、常规法B、正接法C、末端屏蔽法D、末端加压法

考题 进行绝缘介损测量时,当标准电容受潮而有较大介损时会使实测绝缘介损减少。()

考题 用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时,当具备电压等级足够高的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。A、10KvB、1.1倍相电压C、线电压

考题 测量主绝缘为电容式结构的电流互感器的的介损及电容量时,有末屏的应尽量使用()进行测量。A、正接线B、反接线C、自激法D、末屏加压法

考题 单选题若测量一台110kV油浸式电流互感器主绝缘介损为0.75%,绝缘电阻为10000MΩ,末屏对地的绝缘电阻为120MΩ,末屏介损为2.5%,该设备()A 可以继续运行,主绝缘良好,且介损值在规程规定值以内B 可以继续运行,缩短试验周期C 可以继续运行,运行中末屏接地,末屏对地的绝缘电阻测量结果仅做参考D 不可以继续运行,测量值超出规程规定值