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采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压，X端和底座接地，二、三次短路后，引入介损仪，采用正接线。
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考题
采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）A、全部绕组的绝缘状态B、1/2绕组的绝缘状态C、1/4绕组绝缘状态D、只反映下部铁芯绕组绝缘状态，即110V级1/2绕组、220kV级1/4绕组的绝缘状态
考题
对电磁式电压互感器出厂试验验收要求110（66）kV及以上电磁式应满足：串级式：介损因数（）非串级式：介损因数（）。A、小于等于0.02；小于等于0.005B、小于等于0.05；小于等于0.005C、小于等于0.02；小于等于0.002D、小于等于0.05；小于等于0.002
考题
用不拆高压引线方式测量220kV电容式电压互感器介损及电容量，操作正确的是（）。A、用反接屏蔽法测量电容分压器上节B、用正接法测量电容分压器上节C、用自激法测量电容分压器中、下节D、用反接法测量电容分压器中、下节
考题
单选题用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时，在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下，其测得值主要反映的是（）的绝缘状况A
一次绕组对二次绕组及地B
处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组对二次绕组之间C
铁芯支架D
处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组端部对二次绕组端部之间
考题
单选题通常情况下，若测得串级式电压互感器介损tgδ值很大，可能的原因（排除外界影响因素后）是（）。A
支架开裂B
线圈匝，层间短路C
受潮D
铁心夹件悬浮电位放电
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