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在现场相同条件下(好天气),用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时,用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。
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考题
试品绝缘表面脏污,受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品介损和电容量测量结果的影响程度是()A、试品电容量越大,影响越大B、试品电容量越小,影响越小C、试品电容量越小,影响越大D、与试品电容量的大小无关
考题
试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,描述正确的是()。A、试品电容量越大,对试品tgδ和C测量结果影响越大B、试品电容量越大,对试品tgδ和C测量结果影响越小C、试品电容量大小,对试品tgδ和C测量结果不影响D、以上均不是
考题
试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品tgδ和C测量结果的影响程度是()A、试品电容量越大,影响越大B、试品电容量越小,影响越小C、试品电容量越小,影响越大D、与试品电容量的大小无关
考题
测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时,如试品周围近距离内有大面积接地物体(墙壁、构架、栅栏等),通过()耦合,会影响测量结果的真实性;对大电感试品,应将线圈首尾(),以消除电感、电容对测量准确度的影响。
考题
测量CVT分接电容C2的介损和电容量时,C2的“δ”点接介损电桥的高压端,主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端,用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限,为保护“δ”,试验电压不超过()。A、10000VB、5000VC、2500VD、1000V
考题
单选题试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品tgδ和C测量结果的影响程度是()A
试品电容量越大,影响越大B
试品电容量越小,影响越小C
试品电容量越小,影响越大D
与试品电容量的大小无关
考题
单选题试品绝缘表面脏污,受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品介损和电容量测量结果的影响程度是()A
试品电容量越大,影响越大B
试品电容量越小,影响越小C
试品电容量越小,影响越大D
与试品电容量的大小无关
考题
判断题在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A
对B
错
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