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用介损仪反接线测量小电容量试品（＜50PF）的介损tgδ及Cx时，在附近处有物体（如梯子等）情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值（）。

  • A、大
  • B、相等
  • C、小
  • D、以上均不是

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考题 计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）
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考题 在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
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考题 用正接线法测量绝缘介损一定比反接法测量的介损值要大。
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考题 试品绝缘表面脏污，受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品介损和电容量测量结果的影响程度是（）A、试品电容量越大，影响越大B、试品电容量越小，影响越小C、试品电容量越小，影响越大D、与试品电容量的大小无关
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考题 用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时，其电容量应是整体电容量的（）。A、1/8B、1/4C、1/2D、1/6
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考题 当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
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考题 分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn，则并联在一起测得的介损值为这些值中的（）。A、最小值B、平均值C、最大值D、介于最大与最小值之间
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考题 测量变压器整体对地介损tgδ，可采用介损仪正接线及反接线。
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考题 用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？
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考题 测量变压器绕组的介损值时，介损测试仪应该使用正接法。（）
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考题 测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样，试品的表面泄漏对测量结果有一定影响，并且（）。A、试品电容量较大，影响较小B、试品电容量较大，影响较大C、与试品电容量无关
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考题 测量绝缘介质出现负值的主要原因是（）A、标准电容有介损且大于被试品的介损B、电场干扰C、空间干扰D、湿度影响
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考题 用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
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考题 采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压，X端和底座接地，二、三次短路后，引入介损仪，采用正接线。
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考题 测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时，如试品周围近距离内有大面积接地物体（墙壁、构架、栅栏等），通过（）耦合，会影响测量结果的真实性；对大电感试品，应将线圈首尾（），以消除电感、电容对测量准确度的影响。
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考题 用反接线测量电磁式电流互感器的介损，一次加压，二次开路，对其测量介损tgδ值影响不大。
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考题 测量CVT分接电容C2的介损和电容量时，C2的“δ”点接介损电桥的高压端，主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端，用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限，为保护“δ”，试验电压不超过（）。A、10000VB、5000VC、2500VD、1000V
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考题 在现场测量介损tgδ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。
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考题 在现场相同条件下（好天气），用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。
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考题 若试品的电容量为10000pF，测量介损tgδ时加压10kV，试验变压器容量选择应不小于（）kVA。A、0.05B、0.5C、1.0D、1.5E、2.0
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考题 在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
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考题 用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。
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考题 小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
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考题 测量串级式电压互感器介损tgδ的接线方法，有哪几种？
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考题 用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？
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考题 用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
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考题 单选题试品绝缘表面脏污，受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品介损和电容量测量结果的影响程度是（）A 试品电容量越大，影响越大B 试品电容量越小，影响越小C 试品电容量越小，影响越大D 与试品电容量的大小无关
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