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在结晶操作中，应（）晶体的生长速率

  • A、提高
  • B、限制
  • C、降低
  • D、无限制提高

参考答案

更多 “在结晶操作中，应（）晶体的生长速率A、提高B、限制C、降低D、无限制提高” 相关考题
考题 结晶过程包括( )两个阶段。A.静置B.晶体颗粒变大C.成核D.晶体生长
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考题 结晶指的是溶于液体中的固体溶液从溶质中析出晶体的操作。此题为判断题(对，错)。
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考题 碳化液在较大的过饱和度下开始结晶时，由于成核速率与相应的晶体成长速率相比要（），因此所得成品粒度会（）。A、快，大B、快，小C、慢，大D、慢，小
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考题 关于碳酸氢钠结晶，下列说法正确的是（）。A、适宜的中温可以使在冷却过程中析出的碳酸氢钠在已有晶核上继续生长，而不过多的产生二次晶核。B、碳化液在较小过饱和度下开始结晶时，成核速率大于晶核成长速率C、在同样的过饱和度下，较高温度时晶体成长的速率大于与之相适应的晶核生成速率D、要保持临界点与冷却段上层出水位置之间的距离不少于3mE、在操作过程中，中温达到一定指标之前，不开或少开冷却水，加水时应缓慢的加F、尽可能提高进塔CO2浓度
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考题 在化工生产中，为了精制固体物质，使溶液中的溶质呈晶体状态而析出的操作称为（）A、碳化操作B、蒸发操作C、盐析操作D、结晶操作
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考题 在结晶器中结晶出来的晶体和剩余的溶液所构成的混合料称为（），去除悬浮于其中的晶体后剩余的溶液称为（）。
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考题 结晶过程包括（）两个阶段。A、静置B、晶体颗粒变大C、成核D、晶体生长
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考题 根据结晶动力学理论，工业结晶操作时选择过饱和度的原则是（）。A、不影响结晶密度（质量）B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢
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考题 由蒸汽、溶液或溶融物中析出固态晶体的操作称为（）。A、盐析B、分离C、固化D、结晶
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考题 在结晶过程中，杂质对晶体成长速率（）。A、有抑制作用B、有促进作用C、有的有A作用，有的有B作用D、没有影响
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考题 结晶指的是溶于液体中的固体溶液从溶质中析出晶体的操作。
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考题 结晶性高聚物在什么温度下结晶时得到的晶体较完整、晶粒尺寸较大，且熔点较高、熔限较窄（）A、略低于Tm是B、略高于TgC、在最大结晶速率
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考题 试述杂质对晶体生长速率的影响途径。
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考题 重结晶是利用杂质和结晶物质在不同溶剂和不同温度下的溶解度不同，将晶体用合适的溶剂再次结晶，以获得高纯度的晶体的操作。
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考题 根据结晶动力学理论，结晶溶液过饱和度高，结晶速率越快，在工业结晶操作时，应选择（）的最高过饱和度。A、不影响结晶密度（质量）B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢
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考题 结晶操作时，溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时，晶核生成（），（）生长为（）。
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考题 干燥过程中，例如盐、糖等结晶体，只要提高空气温度，降低相对湿度干燥速率可以（），是属于（）过程。
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考题 结晶操作时，冷却速度对结晶过程有较大的影响，当缓慢冷却时结晶（）而晶体（）。
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考题 重结晶操作中，为了减少晶体损失，可用过滤后的母液洗结晶瓶中的残留晶体。
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考题 单选题结晶性高聚物在什么温度下结晶时得到的晶体较完整、晶粒尺寸较大，且熔点较高、熔限较窄。（）A 略低于Tm是B 略高于TgC 在最大结晶速率
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考题 判断题重结晶是利用杂质和结晶物质在不同溶剂和不同温度下的溶解度不同，将晶体用合适的溶剂再次结晶，以获得高纯度的晶体的操作。A 对B 错
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考题 多选题根据结晶动力学理论，结晶溶液过饱和度高，结晶速率越快，在工业结晶操作时，应选择（）的最高过饱和度。A不影响结晶密度（质量）B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢
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考题 填空题结晶操作时，冷却速度对结晶过程有较大的影响，当缓慢冷却时结晶（）而晶体（）。
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考题 问答题在重结晶的抽滤中应如何洗涤晶体？
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考题 问答题试述杂质对晶体生长速率的影响途径。
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考题 填空题结晶操作时，溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时，晶核生成（），（）生长为（）。
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考题 多选题根据结晶动力学理论，工业结晶操作时选择过饱和度的原则是（）。A不影响结晶密度（质量）B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢
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