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c-z法生产单晶硅棒工艺中,控制位错产生的工序是()。
A.上述说法均不对
B.缩颈生长与尾部生长
C.等径生长
D.放肩生长
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考题
硅提纯及制备工艺流程正确的是()。
A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
考题
对于管外法制备工艺说法有误的是?A.管外法主要包括管外气相沉积法(OVD),以及气相轴向沉积法(VAD);B.OVD工艺中,原料在氢氧焰中水解生成Si微粉,然后经喷灯喷出沉积在高速旋转的“母棒”外表面;C.管外气相沉积法(OVD)的预制棒制备工艺由美国Corning公司开发;D.OVD工艺中母棒的径向尺寸不受限制,因而棒的尺寸可以做得比较大。
考题
6、已审核的生产订单,依其“物料工艺路线资料”,产生各生产订单的工序资料。
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