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2.直拉单晶硅棒存在的问题及改良方法

参考答案和解析
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考题 硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
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考题 2.指出素材（二）的场景中存在的问题及自动喷水给水泵未启动的原因，并简述湿式自动喷水灭火系统联动功能检查测试的方法。
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考题 叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。
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考题 棒状单晶硅(经掺杂、直径63mm)
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考题 若采样棒空棒检测数值超过30RLU，可能原因：（）A、人为操作不当B、机器故障C、检测棒有问题D、不存在问题
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考题 直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）A、6B、2C、4D、5
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考题 机动车转向机构中的转向节及臂、横直拉杆及球销应灵活有效，转向横、直拉杆断裂后，允许拼焊
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考题 单晶硅棒和PN结的制造技术等，与（）以及（）等半导体制造技术有较多共同部分，且历史悠久，实际业绩突出。
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考题 （）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。A、直拉法B、铸锭法C、西门子法D、三氯氢硅还原法
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考题 单晶硅锭的制备方法很多，目前国内外在生产中主要采用溶体直拉法和辉光放电法。
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考题 下面是直拉法生产单晶硅工艺流程图正确顺序的是（）。A、种晶—放肩—等径—引晶B、引晶—放肩—等径—种晶C、种晶—引晶—放肩—等径D、引晶—种晶—放肩—等径
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考题 下面哪种不是单晶硅的制备方法（）。A、硅带法B、区熔法C、直拉单晶法D、磁拉法
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考题 电子工业用直径≥30cm单晶硅棒
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考题 试述绩效考核中可能存在的问题及解决的方法。
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考题 那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）A、分凝B、蒸发C、坩埚污染D、损坏
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考题 简述直拉杆球节的调整方法及要求。
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考题 填空题提拉出合格的单晶硅棒后，还要经过（）、（）、（）等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。
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考题 问答题试述东北黑土的基本属性及存在问题和利用改良途径
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考题 填空题CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。
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考题 单选题那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）A 分凝B 蒸发C 坩埚污染D 损坏
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考题 单选题直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）A 6B 2C 4D 5
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考题 单选题其中不属于多晶硅的生产方法的是（）.A SiCl4法B 硅烷法C 直拉法D 西门子改良法
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考题 判断题85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。A 对B 错
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考题 填空题直拉法生长单晶硅要经过（）六个阶段。
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考题 问答题简述直拉法生长单晶硅的工艺过程，并说明每个步骤各自有什么作用？
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