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产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是

A、突触前末梢递质释放减少

B、突触后膜Ca2+电导降低

C、突触后膜Na+电导降低

D、中间神经元受抑制

E、突触后膜发生超极化


参考答案

更多 “ 产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是 A、突触前末梢递质释放减少B、突触后膜Ca2+电导降低C、突触后膜Na+电导降低D、中间神经元受抑制E、突触后膜发生超极化 ” 相关考题
考题 突触后抑制的产生机制是 A、进入突触前末梢Ca2+量减少B、突触前末梢递质释放量减少C、抑制-兴奋性中间神经元D、兴奋-抑制性中间神经元E、突触后膜去极化程度减小

考题 下列关于IPSP产生过程的叙述,哪一项是错误的?A. 突触前膜超极化 B. Ca2+经突触前膜进入突触小体 C. 突触前膜释放抑制性递质 D. 突触后膜对Cl-通透性增强 E. Cl-内流产生IPSP

考题 突触前抑制是由于突触前膜A、产生抑制性突触后电位 B、释放抑制性递质 C、产生超极化 D、兴奋性递质释放减少 E、递质耗竭

考题 突触前抑制的特点是 A.突触前膜超极化 B.突触前轴突末梢释放抑制性递质 C.突触后膜的兴奋性降低 D.突触后膜的兴奋性突触后电位降低 E.通过轴突-树突突触的活动实现

考题 突触前抑制是由于突触前膜 A.产生超极化 B.释放抑制性递质 C.兴奋性递质释放减少 D.产生抑制性突触后电位

考题 抑制性突触后电位 A.由突触前末梢递质释放减少而产生 B.使突触后膜电位远离阈电位水平 C.由突触后膜Na+电导增加而产生 D.是一种去极化抑制的突触后电位

考题 知识点:突触前抑制突触前抑制的特点是 A.突触前膜超极化 B.突触前轴突末梢释放抑制性递质 C.突触后膜的兴备性降低 D.突触后膜的兴奋性、突触后电位降低 E.通过轴突-树突突触的活动实现

考题 突触后膜超极化 A.突触前膜去极化 B.突触前膜外的Ca2+内流 C.递质释放 D.产生突触后电位 E.抑制性突触后电位

考题 突触前神经末梢递质释放量取决于A.突触前膜去极化 B.突触前膜外的Ca2+内流 C.递质释放 D.产生突触后电位 E.抑制性突触后电位

考题 突触前抑制的特点是()。A、突触前膜超极化B、突触前轴突末梢释放抑制性递质C、突触后膜的兴奋性降低D、突触后膜的兴奋性突触后电位降低E、通过轴突树突突触的活动实现

考题 产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是()A、突触前末梢递质释放减少B、突触后膜Ca2+电导降低C、突触后膜Na+电导降低D、中间神经元受抑制E、突触后膜发生超极化

考题 关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?()A、突触前轴突末梢去极化,Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C、突触后膜对K+、C1-,特别是Cl-的通透性增高D、突触后膜出现超极化电位

考题 突触前抑制的发生是由于()A、突触前膜释放抑制性递质B、突触后膜超极化C、抑制性中间神经元兴奋的结果D、突触前膜超极化E、突触前膜兴奋性递质释放量减少

考题 产生突触前抑制的机制是()A、突触前膜钾离子通道磷酸化而关闭B、进入突触前末梢内的钙离子减少C、突触前末梢释放抑制性递质D、通过抑制性中间神经元中介E、突触后膜产生IPSP

考题 产生突触前抑制的机制是()A、突触前膜阈电位水平抬高B、突触前末梢递质释放减少C、突触前末梢释放抑制性递质D、由抑制性中间神经元中介E、突触后膜产生IPSP

考题 产生兴奋性突触后电位(EPSP)的主要机制是()A、突触前末梢递质释放增多B、需由中间神经元中介C、突触后膜K+电导降低D、突触后膜Na+电导增加E、突触后神经元受刺激而兴奋

考题 单选题产生兴奋性突触后电位(EPSP)的主要机制是()A 突触前末梢递质释放增多B 需由中间神经元中介C 突触后膜K+电导降低D 突触后膜Na+电导增加E 突触后神经元受刺激而兴奋

考题 单选题突触前抑制的发生是由于()。A 突触前膜释放抑制性递质B 突触后膜超极化C 抑制性中间神经元兴奋的结果D 突触前膜超极化E 突触前膜兴奋性递质释放量减少

考题 单选题产生突触前抑制的机制是()A 突触前膜阈电位水平抬高B 突触前末梢递质释放减少C 突触前末梢释放抑制性递质D 由抑制性中间神经元中介E 突触后膜产生IPSP

考题 单选题产生突触前抑制的机制是(  )。A 突触前膜K+通道磷酸化而关闭B 进入突触前末梢内的Ca2+减少C 突触前末梢释放抑制性递质D 通过抑制性中间神经元中介E 突触后膜产生IPSP

考题 单选题产生突触前抑制的机制是()A 突触前膜钾离子通道磷酸化而关闭B 进入突触前末梢内的钙离子减少C 突触前末梢释放抑制性递质D 通过抑制性中间神经元中介E 突触后膜产生IPSP

考题 单选题产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是()A 突触前末梢递质释放减少B 突触后膜Ca2+电导降低C 突触后膜Na+电导降低D 中间神经元受抑制E 突触后膜发生超极化

考题 单选题突触前抑制是由于突触前膜A 产生超极化B 释放抑制性递质C 递质耗竭D 兴奋性递质释放减少E 产生抑制性突触后电位

考题 多选题下列有关突触前抑制的叙述,正确的是:()A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP(兴奋性突触后电位)幅度减小E引起突触后膜产生IPSP(抑制性突触后电位)幅度增大

考题 单选题突触前抑制的特点是()。A 突触前膜超极化B 突触前轴突末梢释放抑制性递质C 突触后膜的兴奋性降低D 突触后膜的兴奋性突触后电位降低E 通过轴突树突突触的活动实现

考题 单选题关于兴奋性突触后电位的说法,正确的是(  )。A 即突触后神经元处于兴奋状态B 由突触后膜K+电导增加而产生C 可随突触前递质释放增多而加大D 由突触后膜Ca2+电导增加而产生E 由突触后膜K+外流大于Na+内流而产生

考题 单选题突触后抑制的产生机制是()A 进入突触前末梢Ca2+量减少B 突触前末梢递质释放量减少C 抑制-兴奋性中间神经元D 兴奋-抑制性中间神经元E 突触后膜去极化程度减小

考题 单选题抑制性突触后电位()A 由突触前末梢递质释放减少而引起B 使突触后膜电位远离阈电位水平C 由突触后膜Na+电导增加而产生D 由突触后膜Ca2+电导增加而产生E 是一种去极化抑制的突触后电位