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MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程，其中PMOS电路问世最早，PMOS管是以空穴为导电载流子，而NMOS管以（）为导电载流子。

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考题 场效应管靠()导电。 A、一种载流子B、两种载流子C、电子D、空穴
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考题 MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电,而场效应管只有个别载流子导电。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
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考题 please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? （威盛笔试题c ircuit design-beijing-03.11.09）
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考题 To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?
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考题 什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）
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考题 由下列器件构成的模拟开关中，导通电阻最低的是( )。A．CMOS场效应管B．PMOS场效应管C．NMOS场效应管D．二簧继电器
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考题 在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路
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考题 MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。
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考题 在CMOS电路中，通常包含两个增强型的PMOS管，一个作为驱动管，一个作为负载管。
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考题 采用了（）门电路后，其比PMOS和NMOS门电路的功耗更低，速度更快。
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考题 按导电类型集成电路可分（）。A、PMOS型B、双极和单极二者兼容型C、CMOS型D、双极型E、单极型
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考题 单极型集成电路可分为（）几种。A、TTL型B、TDK型C、PMOS型D、NMOS型E、CMOS型
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考题 单极性集成电路包括（）A、TTL集成电路B、PMOS集成电路C、NMOS集成电路D、CMOS集成电路
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考题 双极型三极管有两种载流子导电，即（）和（）导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即（）导电。
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考题 下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
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考题 晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电，而场效应管只有个别载流子导电。
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考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
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考题 问答题为什么在相同工艺条件和相同几何尺寸下NMOS管速度要高于PMOS管？如果相同栅长的N管和P管要达到相同的速度，理论上N管和P管要满足什么条件？
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考题 问答题NMOS和PMOS的源漏如何形成的？
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考题 问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
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考题 问答题为什么NMOS工艺优于PMOS工艺？
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考题 问答题同宽长比的PMOS和NMOS谁的阈值要大一些？
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考题 填空题MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。
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考题 单选题在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A 互补MOS与非门电路B CMOS与非门电路
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考题 问答题简述PMOS管的具体结构。
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考题 单选题场效应管参与导电的载流子是（）。A 电子B 空穴C 多数载流子D 少数载流子
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