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MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程,其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子,而NMOS管以电子为导电载流子,由于空穴的迁移率比电子低,因此,NMOS电路的工作速比PMOS电路快,而且PMOS使用负电源,与TTL电路不匹配,所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。对吗?


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更多 “MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程,其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子,而NMOS管以电子为导电载流子,由于空穴的迁移率比电子低,因此,NMOS电路的工作速比PMOS电路快,而且PMOS使用负电源,与TTL电路不匹配,所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。对吗?” 相关考题
考题 MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对,错)。

考题 场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。

考题 please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? (威盛笔试题c ircuit design-beijing-03.11.09)

考题 To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?

考题 什么是NMOS、PMOS、CMOS?什么是增强型、耗尽型?什么是PNP、NPN?他们有什么差别?(仕兰微面试题目)

考题 由下列器件构成的模拟开关中,导通电阻最低的是( )。A.CMOS场效应管B.PMOS场效应管C.NMOS场效应管D.二簧继电器

考题 在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路

考题 下列说法错误的是()A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较高

考题 MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。

考题 在CMOS电路中,通常包含两个增强型的PMOS管,一个作为驱动管,一个作为负载管。

考题 采用了()门电路后,其比PMOS和NMOS门电路的功耗更低,速度更快。

考题 按导电类型集成电路可分()。A、PMOS型B、双极和单极二者兼容型C、CMOS型D、双极型E、单极型

考题 单极型集成电路可分为()几种。A、TTL型B、TDK型C、PMOS型D、NMOS型E、CMOS型

考题 CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是()A、微功耗B、高速度C、高抗干扰能力D、电源范围宽

考题 单极性集成电路包括()A、TTL集成电路B、PMOS集成电路C、NMOS集成电路D、CMOS集成电路

考题 下列门电路工作速度最快的一种是()。A、TTLB、CMOSC、NMOSD、PMOS

考题 下列场效应管中,无原始导电沟道的为()。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管

考题 下列说法错误的是()。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低

考题 对于数字表中的PMOS集成电路,检修时应注意将焊接烙铁、测试仪表()。电路工作时,不科厨的输入端必须根据逻辑要求()。电路存放时应采用金属屏蔽。

考题 填空题现代主流的集成电路加工技术为CMOS工艺,即最基本的器件是由()和NMOS组成。

考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是:()。所以,NMOS管的开启电压为(),PMOS管的开启电压为()。

考题 问答题NMOS和PMOS的源漏如何形成的?

考题 问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应,并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

考题 问答题为什么NMOS工艺优于PMOS工艺?

考题 问答题同宽长比的PMOS和NMOS谁的阈值要大一些?

考题 填空题MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、()型。

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