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名词解释题
正光刻胶

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考题 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。A、树脂B、感光剂C、HMDSD、溶剂E、PMMA
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考题 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
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考题 解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
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考题 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
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考题 有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。A、负胶受显影液的影响比较小B、正胶受显影液的影响比较小C、正胶的曝光区将会膨胀变形D、使用负胶可以得到更高的分辨率E、负胶的曝光区将会膨胀变形
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考题 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度
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考题 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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考题 晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
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考题 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。A、ARCB、HMDSC、正胶D、负胶
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考题 名词解释题光刻胶
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考题 问答题列出光刻胶的四种成分
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考题 问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。
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考题 问答题什么是负光刻胶？
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考题 问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
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考题 名词解释题正光刻胶
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考题 填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。
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考题 问答题简述光刻胶的概念及目的
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考题 问答题列出并描述I线光刻胶的4种成分。
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考题 问答题光刻胶正胶和负胶的区别是什么？
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考题 问答题简述光刻胶的成分特征。
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考题 问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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考题 判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A 对B 错
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考题 判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A 对B 错
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考题 问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
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考题 填空题光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）； 曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。
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考题 问答题如果光刻胶对光的吸收过多侧墙会怎样？
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考题 问答题典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？
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考题 问答题列出并描述两种主要的光刻胶。
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